如何選擇集成電路芯片高低溫試驗箱

時間：2020-9-23閱讀：981

集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護環(huán)的電子元件。目前芯片市場需求更大，那么做集成電路芯片生產(chǎn)廠家，同時大量需求到皓天環(huán)境測試設(shè)備：高低溫試驗箱，可程式恒溫恒濕試驗箱，冷熱沖擊試驗箱，快速溫變試驗箱..........

如何選擇集成電路芯片高低溫試驗箱

1、芯片廠家需求多大內(nèi)容積高低溫試驗箱;

2、設(shè)備溫度范圍

3、濕度范圍

4、集成器負載數(shù)量

高低溫試驗箱專業(yè)廠家根據(jù)客戶要求推薦如下

1.產(chǎn)品名稱	高低溫試驗箱
2.產(chǎn)品型號	SMC-40PF
3.試樣限制	本試驗設(shè)備禁止： ①易燃、易爆、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗或儲存 ②腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗或儲存 ③生物試樣的試驗或儲存 ④強電磁發(fā)射源試樣的試驗或儲存
4.容積、尺寸和重量
4.1.標稱內(nèi)容積	40L
4.2.內(nèi)型尺寸	W345H395D300mm
4.3.外型尺寸	W580H850D1150mm
4.4.重量	約180㎏
5.性能
5.1.測試環(huán)境條件 5.2.測試方法	環(huán)境溫度為+25℃、相對濕度≤85%、試驗箱內(nèi)無試樣條件下 GB/T 5170.2-1996 溫度試驗設(shè)備。
5.3.溫度范圍	-40℃→+150℃（可任意設(shè)定）
5.4.濕度范圍	20%RH→98%RH （可任意設(shè)定）
5.5.溫度波動度	±0.5℃
5.6.濕度波動度	±1%
5.7.溫度偏差	±1.0℃
5.8.濕度偏差	±3%RH
5.9.升溫時間	升溫時間:+20℃~+150℃≤35min(非線性空載,升溫速率3~5℃)
5.10.降溫時間	降溫時間:+20℃~-40℃≤55min(非線性空載，降溫速率1~1.2℃)
5.11.負載情況	空載
5.12.滿足試驗標準	①GB/T 2423.1-2006 試驗A：低溫試驗方法 ②GB/T 2423.2-2006 試驗B：高溫試驗方法 ③GJB 150.3-1986 高溫試驗 ④GJB 150.4-1986 低溫試驗 ⑤IEC68-2-1 試驗A：寒冷. ⑥GB 11158《高溫試驗箱技術(shù)條件》 ⑦GB/T 2423.2《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗B：高溫試驗方法》. ⑧GB/T10586-89 濕熱試驗箱條件 ⑨GT/T2423.3-93、GT/T2423.4-93 濕熱試驗箱條件

東莞市皓天試驗設(shè)備有限公司

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