MoSe2/Graphene異質(zhì)結(jié) 二硒化鉬/石墨烯薄膜

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MoSe2/Graphene異質(zhì)結(jié) 二硒化鉬/石墨烯薄膜

嘗試對石墨烯與硒化鉬這兩種納米薄膜材料進(jìn)行異質(zhì)結(jié)的制備。在利用化學(xué)氣相沉積(CVD)制備出的MoSe₂薄膜上用化學(xué)氣相沉積制備出石墨烯，然后采用磁控濺射沉積銅(Cu)接觸電極，對石墨烯表征并對其性質(zhì)研究。后經(jīng)過的工藝步驟下形成石墨烯和MoSe₂異質(zhì)結(jié)并檢測其光電性質(zhì)。在標(biāo)準(zhǔn)光源照射下，短路電流約為2.4 nA，開路電壓約為4 mV，可知石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)可以用于太陽能電池、傳感器、發(fā)光二極管、激光等領(lǐng)域。有無光照時(shí)電流比值約為2.69，可見石墨烯/硒化鉬異質(zhì)結(jié)具有的光伏性質(zhì)。

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p-AlGa1-xN/i-GaN/n-GaN異質(zhì)結(jié)
Si/SiGe/Si雙異質(zhì)結(jié)晶體管
SiC_(1-x) Ge_x/SiC異質(zhì)結(jié)
Ga As/ Alx Ga1 - x As單異質(zhì)結(jié)
SiGe HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)
n-nc-Si:H/p-c-Si異質(zhì)結(jié)
CuS/TiO_2納米管異質(zhì)結(jié)陣列
ZnO/Si異質(zhì)結(jié)
二氧化鈦/多孔硅/硅異質(zhì)結(jié)
n-ZnO/p-Si異質(zhì)結(jié)
AlxGa1-xN/GaN異質(zhì)結(jié)
InGaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)
p-n異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的AgBr/CuO可見光催化劑

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