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二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測(cè)器

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更新時(shí)間:2025-02-13 17:57:08瀏覽次數(shù):63

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

保修期限 6個(gè)月 產(chǎn)地類別 進(jìn)口
產(chǎn)品成色 9成新 出廠年份 2022
使用年限 3-4年 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,電子,交通,汽車
二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測(cè)器:Amptek產(chǎn)品為X射線熒光光譜儀(XRF)、RoHS分析、空氣環(huán)境測(cè)試、土壤、貴金屬、伽瑪射線的探測(cè)、考古、空間探測(cè)防等客戶提供高質(zhì)量及高可靠性完整X射線熒光光譜分析部件:X射線熒光光譜探測(cè)器、X射線光管、電荷靈敏前端放大器、數(shù)字脈沖處理器、電源、新型窗口材料B4C及分析軟件。與此同時(shí),Amptek公司的混合前置放大器。

詳細(xì)介紹

二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測(cè)器Amptek 探測(cè)器是 X 射線光譜測(cè)量領(lǐng)域技術(shù)的代表,可提供超高的能量分辨率、低能量效率、計(jì)數(shù)率、峰背比,并且成本低廉,適用于便攜式系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、OEM 儀器和實(shí)驗(yàn)室研究。Amptek 在該系列下?lián)碛袔追N不同類型的探測(cè)器,它們均采用核心技術(shù),但針對(duì)不同的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測(cè)器


探測(cè)器類型
FAST SDD:這是 Amptek 性能最高的探測(cè)器。對(duì)于對(duì)性能要求很高的用戶,建議使用 FAST SDD。它可以提供超高的能量分辨率(在 5.895 keV 時(shí)低至 122 eV FWHM),可以測(cè)量能量 X 射線(在 52 eV 時(shí)低至 Li Ka 線),具有超高的峰背比,可以以超高的計(jì)數(shù)率(> 1 Mcps)運(yùn)行,并可提供******面積(****** 70 mm2)。FAST SDD 被廣泛用于最嚴(yán)苛的 XRF 應(yīng)用、EDS 和 SEMS/TEM、同步加速器和其他研究系統(tǒng)中。
SDD: 推薦需要中等能量分辨率和計(jì)數(shù)率的用戶使用。SDD 的典型分辨率為 125 eV,計(jì)數(shù)率通常為 200 kcps。它被廣泛用于許多便攜式 XRF 應(yīng)用。
Si-PIN:建議用于需要中等能量分辨率和計(jì)數(shù)率且預(yù)算不高的應(yīng)用。Si-PIN 器件具有傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu),電子噪聲比 SDD 更大,但更易于制造。目前有三種不同的 Si-PIN 型號(hào),面積分別為 6 mm2、13mm2 和 25 mm2。6 mm2 探測(cè)器可以高達(dá) 50k cps 的計(jì)數(shù)率在 5.9 keV Mn Ka 線處提供 140 eV FWHM 的能量分辨率。13 mm2 和 mm2 探測(cè)器在相同的計(jì)數(shù)率下可提供典型的能量分辨率為 180 和 210 eV 。
CdTe:推薦用于 20-30 keV 以上的應(yīng)用。CdTe 的阻止本領(lǐng)比 Si 高得多,可以制造得更厚,因此對(duì)所有特征 X 射線(甚至到 U 的 K 線)都具有高效率。CdTe 的電子噪聲比任何一個(gè) Si 探測(cè)器都要差(5.9 keV Mn Ka 線處的分辨率通常為 450 eV FWHM),這使 Si 探測(cè)器成為低于 20 keV 能量應(yīng)用的更好選擇。但是,在 20 至 30 keV 以上,分辨率主要由 Fano 展寬決定,因此差異變小,特征 X 射線間距更寬,Si 探測(cè)器的效率下降,這使 CdTe 成為更好的選擇。CdTe 探測(cè)器非常適合測(cè)量 X 射線管的頻譜,適用于效率非常重要而能量分辨率不那么重要的應(yīng)用。  CdTe 也是伽馬射線應(yīng)用的不錯(cuò)選擇。


探測(cè)器選型表

探測(cè)器類型
面積/厚度
窗口選項(xiàng)

保證能量分辨率
eV FWHM @ 5.9 keV*
峰背比*

Si-PIN
6mm2/500 μm
0.5 or 1.0 mil Be

139 – 159 eV
32 μs 峰值時(shí)間
P/B 比:19000/1(典型值)

Si-PIN
13mm2/500 μm
1.0 mil Be

180 – 205 eV
32 μs 峰值時(shí)間
P/B 比:4100/1(典型值)

Si-PIN
25mm2/500 μm
1.0 mil Be

190 – 225 eV
32 μs 峰值時(shí)間
P/B 比:2000/1(典型值)

SDD
25mm2/500 μm
0.3 or 0.5 mil Be

125 – 135 eV
11.2 μs 峰值時(shí)間
P/B 比:>20000/1(典型值)

FAST SDD
25mm2/500 μm
0.3 or 0.5 mil Be
C1 or C2 Si3N4

122 – 129 eV
4 μs 峰值時(shí)間
P/B 比:>20000/1(典型值)

FAST SDD-70
70mm2/500 μm
0.5 mil Be or C2 Si3N4

123 – 135 eV
4 μs 峰值時(shí)間
P/B 比:>20000/1(典型值)

 

*所有結(jié)果均在探測(cè)器冷卻的情況下獲得。峰背(P/B)比是指 13 和 25 mm2 Si-PIN 從 5.9 keV 到 2 keV 的計(jì)數(shù)比以及所有 SDD 和 6 mm2 Si-PIN 從 5.9 keV 到 1 keV 的計(jì)數(shù)比。用戶在選擇探測(cè)器時(shí)不僅應(yīng)考慮分辨率,還應(yīng)考慮面積、厚度、吞吐量和峰背比。

二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測(cè)器

探頭性能對(duì)比

圖1. Si-PIN 和 SDD 探測(cè)器的分辨率與峰值時(shí)間之間的關(guān)系。峰值時(shí)間約為 2.4 倍整形時(shí)間。



圖2. 6 mm2、13 mm2 和 25 mm2 Si-PIN 探測(cè)器的分辨率與峰值時(shí)間和溫度之間的關(guān)系。



圖3. 25 mm2 標(biāo)準(zhǔn)和 FAST SDD 探測(cè)器的分辨率與峰值時(shí)間和溫度之間的關(guān)系。

圖4. 70 mm2 FAST SDD 探測(cè)器的分辨率與峰值時(shí)間和溫度之間的關(guān)系。


二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測(cè)器探頭配置
所有Amptek X射線探測(cè)器元件均有 XR-100、X-123 或 OEM 配置。
XR-100 配置僅包括探測(cè)器和前置放大器,必須與 PX5 數(shù)字脈沖處理器或 DP5/PC5處理器和電源構(gòu)成完整系統(tǒng)。XR-100/PX5 組合最為靈活,專為實(shí)驗(yàn)室和研究用途而設(shè)計(jì)。
X-123 包括探測(cè)器、數(shù)字脈沖處理器和電源,是一個(gè)完整的系統(tǒng)。X-123 配置是臺(tái)式和對(duì)尺寸、便攜性等應(yīng)用的理想選擇。
對(duì)于手持式和定制應(yīng)用,還有更小尺寸的OEM配置可供選擇。



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