卷對卷PECVD石墨烯制備設(shè)備 參考價：89560
卷對卷PECVD石墨烯制備設(shè)備主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)和智能手機(jī)屏幕，超輕、柔性的太陽能電池，以及新型的發(fā)光設(shè)備和其他薄膜電子產(chǎn)品
半導(dǎo)體PECVD設(shè)備氣相沉積系統(tǒng) 參考價：98000
半導(dǎo)體PECVD設(shè)備氣相沉積系統(tǒng)適用于在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備...
單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)PECVD石墨烯制備系統(tǒng) 參考價：面議
單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)PECVD石墨烯制備系統(tǒng)用于制備石墨烯，是一種 “低溫、直接生長" 的技術(shù)。它尤其適合在非金屬基底（如絕緣襯底）上生長石墨烯，避免了從金屬催化劑轉(zhuǎn)移的...
卷對卷式太陽能電池片PECVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：28000
卷對卷式太陽能電池片PECVD氣相沉積系統(tǒng)是等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），并加裝了收放卷裝置。本設(shè)備可用于線材的連續(xù)化熱處理工藝中，如碳纖維制備、...
二氧化硅薄膜沉積等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng) 參考價：35000
二氧化硅薄膜沉積等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器，三溫區(qū)管式爐、單溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，...
光學(xué)薄膜PECVD等離子增強(qiáng)型CVD系統(tǒng) 參考價：26000
CY-PECVD50R-1200-Q是一款光學(xué)薄膜PECVD等離子增強(qiáng)型CVD系統(tǒng)。此系統(tǒng)由150W射頻電源、單溫區(qū)管式爐、3通道質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)、性能優(yōu)異的...
PEALD等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) 參考價：268000
PEALD等離子增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)是一種的薄膜沉積技術(shù)，結(jié)合了等離子體和原子層沉積（ALD）的優(yōu)點(diǎn)，以實(shí)現(xiàn)更高的薄膜質(zhì)量、更低的沉積溫度和更廣泛的材料兼容性。P...
三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備系統(tǒng) 參考價：54000
三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備系統(tǒng)用于制備石墨烯，是一種 “低溫、直接生長" 的技術(shù)。它尤其適合在非金屬基底（如絕緣襯底）上生長石墨烯，避免了從金屬催化劑轉(zhuǎn)...
晶圓鍍膜設(shè)備PECVD氣相沉積 參考價：102000
晶圓鍍膜設(shè)備PECVD氣相沉積在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用
熱陰極直流等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價：1000
熱陰極直流等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（DCCVD）是在常規(guī)冷陰極輝光放電基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，主要用于金剛石單晶或多晶膜的沉積生長
PECVD?旋轉(zhuǎn)等離子加強(qiáng)CVD系統(tǒng) 參考價：5800
本產(chǎn)品為PECVD?旋轉(zhuǎn)等離子加強(qiáng)CVD系統(tǒng)。PECVD-R?旋轉(zhuǎn)等離子加強(qiáng)CVD設(shè)備十分適合在氣氛保護(hù)的環(huán)境下連續(xù)對粉末材料用CVD方法進(jìn)行包裹和修飾。
PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價：36500
PECVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度
半導(dǎo)體PECVD設(shè)備 參考價：面議
半導(dǎo)體PECVD設(shè)備采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度。適用于在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼...
PE-HPCVD等離子增強(qiáng)物理化學(xué)氣相沉積 參考價：45000
PE-HPCVD等離子增強(qiáng)物理化學(xué)氣相沉積由一臺雙溫區(qū)管式爐，一套鎢絲蒸發(fā)源，一套等離子發(fā)生裝置以及一套質(zhì)量流量計(jì)組成。HPCVD等離子增強(qiáng)物理化學(xué)氣相沉積適用...
雙溫區(qū)CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 參考價：6500
雙溫區(qū)CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術(shù)，通過在高溫下將氣體反應(yīng)物質(zhì)與基底表面反應(yīng)，形成薄膜
半導(dǎo)體CVD設(shè)備 參考價：60000
半導(dǎo)體CVD設(shè)備采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，基本溫度低，沉積速率快，在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜。(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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