派瑞林真空氣相沉積 參考價：5900
派瑞林真空氣相沉積是一種專業(yè)的產(chǎn)品，用于在材料表面上制備薄膜。它采用了在真空環(huán)境中使用氣相化學(xué)反應(yīng)來沉積薄膜的過程。這種技術(shù)可以廣泛應(yīng)用于各種行業(yè)，包括電子、光...
1200℃三溫區(qū)高真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃三溫區(qū)高真空CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片...
1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD氣相沉積 參考價：面議
1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD氣相沉積由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計和高真空分子泵組組成。管式爐由精密控溫儀表進行PID控溫，可編輯30段升...
全自動CVD滑軌爐氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
全自動CVD滑軌爐氣相沉積系統(tǒng)由雙溫區(qū)滑軌爐、質(zhì)子流量控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)三部分組成。雙溫區(qū)滑軌爐可移動并可實現(xiàn)快速升降溫；四路質(zhì)子流量計能夠準(zhǔn)確控制系統(tǒng)的供氣；...
1200℃三溫區(qū)三通道混氣CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃三溫區(qū)三通道混氣CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如...
1200℃三溫區(qū)旋轉(zhuǎn)CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃三溫區(qū)旋轉(zhuǎn)CVD氣相沉積系統(tǒng)安裝有投料器和收料罐。1200℃三溫區(qū)旋轉(zhuǎn)自動進出料CVD系統(tǒng)投料器可以以額定速率將粉料送入爐管，可實現(xiàn)在氣氛保護的環(huán)境下...
兩通道CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
兩通道CVD氣相沉積系統(tǒng)帶水冷法蘭雙路流量計并配有雙極旋片泵、水冷機、數(shù)字真空計且該CVD系統(tǒng)可抽真空、通氣氛用于各種CVD實驗。
1200℃三通道CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃三通道CVD氣相沉積系統(tǒng)主要由：材料加熱、真空獲取、氣體測量和等離子發(fā)生器四大部分構(gòu)成?？梢詽M足日常的大多數(shù)CVD實驗和各種科研要求。該CVD系統(tǒng)是材...
三溫區(qū)1600 CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
三溫區(qū)1600 CVD氣相沉積系統(tǒng)主要用于真空燒結(jié)、氣氛保護性燒結(jié)、真空鍍膜 各種材料煅燒、需要溫度梯度的各種CVD實驗
1200℃單溫區(qū)高真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃單溫區(qū)高真空CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片...
1200℃高真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃高真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表...
1200℃雙溫區(qū)高真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃雙溫區(qū)高真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅...
1200℃三溫區(qū)高真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃三溫區(qū)高真空CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片...
1200℃雙溫區(qū)真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃雙溫區(qū)真空CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）...
ALD原子層沉積系統(tǒng) 參考價：面議
ALD原子層沉積系統(tǒng)系統(tǒng)是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設(shè)備，具有原子級別的厚度控制能力。ALD系統(tǒng)通常用于半導(dǎo)體制造、納米技術(shù)、光電器件、以及其他高科技領(lǐng)...
雙溫區(qū)CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
雙溫區(qū)CVD氣相沉積系統(tǒng)由1200℃雙溫區(qū)管式爐、雙通道質(zhì)量流量計和低噪音雙極旋片真空泵組成。雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)管式爐的兩個溫區(qū)分別由精密控溫儀表獨立控溫，通過調(diào)...
1200℃雙溫區(qū)真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃雙溫區(qū)真空CVD氣相沉積系統(tǒng)由雙溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐兩個溫區(qū)分別由精密控溫儀表獨立控溫，通過調(diào)節(jié)各個溫區(qū)的溫度，該管...
1200℃三溫區(qū)低真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃三溫區(qū)低真空CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片...
1200℃雙溫區(qū)CVD化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價：面議
1200℃雙溫區(qū)CVD化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）...
1200℃低真空旋轉(zhuǎn)CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃低真空旋轉(zhuǎn)CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）...
1200℃金剛石膜CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃金剛石膜CVD氣相沉積系統(tǒng) 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）...
1200℃石墨烯CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃石墨烯CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表面...
1500℃碳納米管CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1500℃碳納米管CVD氣相沉積系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控溫儀表進行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，同...
1500℃半導(dǎo)體薄膜CVD氣相沉積系統(tǒng) 參考價：面議
1500℃半導(dǎo)體薄膜CVD氣相沉積系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控溫儀表進行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，...(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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