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深圳市秋山貿易有限公司
主營產品： 抹茶生產線,粉碎研磨珠,口紅硬度計 |
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13823147203
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- 聯(lián)系人：
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- www.cnakiyama.com
非接觸型（雙面探頭型）和非破壞型（單面探頭型）
2020-11-23 閱讀(1006)
如上所述，在非接觸型中，通過將樣品插入上下配對的探針之間的間隙中來執(zhí)行測量。
因此，探針單元的形狀不可避免地限制了樣品的厚度和相應的尺寸。
- 樣品厚度限制：探針之間的間隙通常為2 mm。
- 樣品支架尺寸限制：由于U形單元的形狀，深度受到限制。
因此，為了處理大樣本和厚樣本，我們通過應用渦流技術開發(fā)并制造了一種單面手持式探頭。
如左圖所示，只需垂直于樣品表面觸摸探頭即可進行測量。
日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
測量規(guī)格
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
測量規(guī)格
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延，離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0。 2至15Ω-cm）
日本napson手持式探針無損渦流法電阻測量儀
