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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
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光彈調(diào)制器
美國Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的(同時(shí)也是世界*的一家)光彈調(diào)制器(photoelastic modulators)生產(chǎn)商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變,調(diào)制速率為20~100kHz。(PEM)的作用就像一個(gè)“動(dòng)態(tài)的波片”,可以使快軸和慢軸之間產(chǎn)生一個(gè)周期變化的折射率差,從而控制透過光束的偏振進(jìn)行周期性的變化。具體而言即,(photoelastic modulators)通過對線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線偏振等狀態(tài)之間井進(jìn)行變化,同時(shí)(PEM)還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進(jìn)行切換。
對比聲光調(diào)制器、電光調(diào)制器、液晶調(diào)制器的*之處包括:
? 非常大通光孔徑(15到30mm,標(biāo)準(zhǔn)),同時(shí)保持很高的調(diào)制器頻率
? 超大接受角度(市場角)范圍(+/- 20°)
? 波長覆蓋范圍大(170nm~10um,F(xiàn)IR~THZ)
? 高損傷閾值
? 可精確控制相位延遲
美國Hinds Instruments, Inc公司PEM電學(xué)和光學(xué)頭封裝在不同的部件中。這樣能夠zui小化光學(xué)系統(tǒng)單元的尺寸,同樣也使得光學(xué)頭與磁場或真空兼容(當(dāng)這些有需要的時(shí)候)。
需要進(jìn)一步了解關(guān)于原理,請點(diǎn)擊這里
應(yīng)用舉例:
在偏振方向調(diào)制中的應(yīng)用介紹.pdf
Hinds Instruments主要分為兩個(gè)系列:
Series I 系列使用矩形光學(xué)原件,波長覆蓋紫外、可見光和紅外至1或者2um。
Series II系列使用對稱或者八角形的光學(xué)原件,波長覆蓋可見和紅外(到中紅外)頻譜區(qū)域。特殊的型號可用于紫外。
Hinds Instruments公司的光學(xué)頭使用不同的光學(xué)材料,材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。
TABLE 1 |
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SPECTRAL REGION | SERIES | MATERIAL |
Vacuum UV, UV | I | Lithium Fluoride |
Vacuum UV to mid-IR | I,II | Calcium Fluoride |
Vacuum UV to near-IR | I,II | Fused Silica |
Mid-visible to mid-IR | II | Zinc Selenide |
Near- to mid-IR | II | Silicon |
相對于Series II八角形光學(xué)元件,Series I矩形的光學(xué)元件在相同厚度的情況下,相位延遲量更少。在紅外波段,這是一個(gè)缺點(diǎn),但是在紫外波段,尤其是真空紫外,這則變成為了一個(gè)很大優(yōu)點(diǎn)。
八角形(Series II)光學(xué)元件在給定的厚度下更加的有效率,因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢。使用Series II操作低延遲量(例如:深紫外)或許會(huì)造成一些問題。
可選選項(xiàng)(規(guī)格和價(jià)格會(huì)因?yàn)榭蛻粜枰淖儯斍樵儐栮涣抗怆姷墓こ處煟?/span>
磁場兼容選項(xiàng),Model MFC。光學(xué)頭不含任何磁鐵材料,用于強(qiáng)磁場中
基本指標(biāo)
Model | Optical Material | Nominal Frequency | Retardation Range | Useful Aperture1 | |
Quarter Wave | Half Wave | ||||
I/FS50 | Fused Silica | 50 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 16mm |
I/FS20 | Fused Silica | 20 KHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 22mm |
I/CF50 | Calcium Fluoride | 50 kHz | 130nm - 2μm | 130nm - 1μm | 16mm |
II/FS20A | Fused Silica | 20 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 56mm |
II/FS20B | Fused Silica | 20 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 56mm |
II/FS42A | Fused Silica | 42 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 27mm |
II/FS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/FS47A | Fused Silica | 47 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 24mm
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II/FS47B | Fused Silica | 47 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 24mm |
II/FS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 2.5μm | 400nm - 2.5μm | 13mm |
II/IS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 3.5μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/IS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 3.5μm | 400nm - 1.8μm | 27mm |
II/CF57 | Calcium Fluoride | 57 kHz | 2μm - 8.5μm | 1μm - 5.5μm | 23mm |
II/ZS37 | Zinc Selenide | 37 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 9μm | 19mm |
II/ZS50 | Zinc Selenide | 50 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 10μm | 14mm |
II/SI40 | Silicon | 40 kHz | FIR - THz | FIR - THz | 36mm |
II/SI50 | Silicon | 50 KHz | FIR - THz | FIR - THz | 29mm |
美國Hinds Instruments, Inc公司相關(guān)文獻(xiàn)請參考:http://www.auniontech。。com/n/document/v_Paper_of_Hinds.html
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