目錄:上海昊量光電設備有限公司>>空間光調(diào)制產(chǎn)品>>DMD>> PDH穩(wěn)頻相位調(diào)制器
應用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子 | 空間分辨率 | 2560x1600 |
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相位調(diào)制器-PDH穩(wěn)頻 PDH穩(wěn)頻技術(shù)
在許多應用中,人們需要抑制激光器噪聲和穩(wěn)定其工作波長,應用包括引力波探測(參見2017年諾貝爾物理學獎LIGO項目),以及原子物理、光學頻率梳和量子計算中的量子態(tài)光譜探測。常見的主動激光穩(wěn)頻技術(shù)之一是Pound-Drever-Hall技術(shù),該技術(shù)將激光的發(fā)射頻率鎖定在穩(wěn)定、高精細度的諧振腔中。這項技術(shù)以Robert Pound, Ronald Drever and John L.Hall而命名。PDH技術(shù)早在1983年的《Applied Physics B》雜志上發(fā)表,“Laser phase and frequency stabilization using an optical resonator"。根據(jù)路透社2017年的報道,這篇論文被引用了2000多次。
“PDH方案具有難以置信的可靠性,真正成為了主流的鎖定機制。今天,這么多年過去了,我們?nèi)栽谟盟鼇韲L試制造線寬為幾mHz的超穩(wěn)定激光器"。Jun Ye博士,NIST。
“PDH技術(shù)是一種非常智慧和可靠的方法,以非常干凈的方式獲得Error誤差信號。還有其他一些各具特色的技術(shù),但老實說,PDH技術(shù)絕對是迄今為止zui可靠的"。Pr Sylvain Gigan, Laboratoire Kastler Brossel.
PDH技術(shù)使用常見的光學外差光譜和射頻電子學方法,用標準具或法布里-珀羅F-P腔測量激光器的頻率,并將測量結(jié)果反饋給激光器,以抑制激光器的頻率偏差。其優(yōu)點包括響應時間可能比腔的響應時間更快。
PDH穩(wěn)頻相位調(diào)制器選擇適合的調(diào)制器給PDH應用
下圖給出了PDH設置的示例。當激光器的頻率與腔的FSR(整數(shù)倍)*匹配時,反射光和漏光具有相同的振幅,并且相位差180°。因此兩束光相互干擾,反射光消失。
考慮到感興趣的激光源的窄線寬和所需的調(diào)制深度,iXblue開發(fā)了一系列用于實現(xiàn)PDH技術(shù)的優(yōu)化型相位調(diào)制器。
PDH穩(wěn)頻相位調(diào)制器與任何其他相位調(diào)制器相比,我們可以區(qū)分LN-0.1系列的優(yōu)點:
l 適應低頻:直流耦合至200 MHz調(diào)制頻率
l 專用于給定的波長范圍。
l 極低的驅(qū)動電壓Vπ.
l 低插入損耗(LIL選項)。
l 高輸入阻抗,提高調(diào)制效率。
l NIR版本的高偏振消光比(PER)。
l 低剩余幅度調(diào)制(Residual Amplitude Modulation-RAM)設計(EP3009879A1)
低頻相位調(diào)制器的現(xiàn)實優(yōu)勢
為光通信應用而設計和開發(fā)的普通高速(GHz)電光調(diào)制器在射頻線的末端具有50歐姆負載電阻終端,以減少射頻電反射。當在低頻率下工作時,這種高速相位調(diào)制器在射頻微波線路中有過高的電流,這導致焦耳效應的局部加熱。當頻率變得較低并且與熱效應的時間常數(shù)相當時,熱循環(huán)和散熱就成了一個問題。因此,在加熱和冷卻過程中,電極、波導的物理特性會發(fā)生變化。
iXblue的LN-0.1相位調(diào)制器采用高輸入阻抗負載(10kΩ)抑制熱效應或電極線開路(1 MΩ)的設計,PDH測試能證明這種調(diào)制器可在溫度變化時,性能穩(wěn)定在一個大的溫度范圍內(nèi)(-40℃到+85°C)
左圖: 50Hz信號時明顯有熱效應,上面曲線為射頻電信號,下面為光信號。
右圖: 50KHz信號時無熱效應,上面曲線為射頻電信號,下面為光信號。
當用電光調(diào)制器實現(xiàn)PDH技術(shù)時,在環(huán)境擾動期間引起誤差信號的畸變和非預期的頻率偏移時RAM總會出現(xiàn)的。當系統(tǒng)的不穩(wěn)定性逐漸降低到極低水平時,抑制或減輕RAM引起的頻率不穩(wěn)定性就變得越來越重要。iXblue為PDH設計并優(yōu)化了專用于減小RAM的低頻相位調(diào)制器。RAM可以通過在調(diào)制器注入一個直流電壓而降低,該電壓對應于鈮酸鋰波導一個整體的負折射率變化。一個5-15V直流電壓足以將RAM降低>10 dB。LN-0.1系列內(nèi)部嵌入高阻抗射頻負載終端,不會被直流信號所損壞。