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產(chǎn)品分類(lèi)品牌分類(lèi)
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SF6氣體回收裝置 真空開(kāi)關(guān)真空度測(cè)試儀 互感器特性綜合測(cè)試儀（變頻式） 斷路器安秒特性測(cè)試儀 開(kāi)關(guān)接觸回路電阻測(cè)試儀（300A） 全功能高壓開(kāi)關(guān)綜合特性測(cè)試儀 斷口高壓開(kāi)關(guān)測(cè)試儀 高低壓開(kāi)關(guān)柜通電試驗(yàn)臺(tái) 高壓開(kāi)關(guān)交流耐壓試驗(yàn)儀 在線式直流接地故障報(bào)警裝置 直流斷路器安秒特性測(cè)試儀 便攜式直流斷路器特性測(cè)試儀 斷路器真空測(cè)試儀 斷口高壓開(kāi)關(guān)機(jī)械特性測(cè)試儀 智能型回路電阻測(cè)試儀 智能型開(kāi)關(guān)電阻測(cè)試儀 高壓開(kāi)關(guān)計(jì)量裝置 高壓斷路器計(jì)量測(cè)試儀 開(kāi)關(guān)回路電阻測(cè)試儀 高壓開(kāi)關(guān)柜TEV局放監(jiān)測(cè)儀 SF6智能微水儀 高壓開(kāi)關(guān)交流耐壓儀 SF6氣體沖壓裝置 SF6氣體泄漏定量報(bào)警監(jiān)測(cè)裝置 SF6氣體繼電器校驗(yàn)裝置 SF6體積濃度分析儀 精密微水分析儀 SF6露點(diǎn)儀 高壓開(kāi)關(guān)接觸電阻測(cè)試儀 高壓開(kāi)關(guān)模擬斷路器 開(kāi)關(guān)柜調(diào)試電源 高壓開(kāi)關(guān)柜通電試驗(yàn)臺(tái) 高壓開(kāi)關(guān)動(dòng)作電源 直流開(kāi)關(guān)安秒特性分析儀 高壓開(kāi)關(guān)分析儀 SF6氣體密度校驗(yàn)儀 SF6氣體抽真空充氣裝置 高低壓開(kāi)關(guān)柜通電臺(tái) 抽真空充氣裝置 智能微水儀 運(yùn)動(dòng)粘度測(cè)定儀 密度繼電器校驗(yàn)儀 開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試儀 檢漏檢測(cè)儀HY18型 回路電阻測(cè)試儀 變壓器有載開(kāi)關(guān)測(cè)試儀 發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子交流阻抗測(cè)試儀 真空度測(cè)試儀 SF6微水測(cè)量?jī)x 高壓開(kāi)關(guān)機(jī)械特性測(cè)試儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
高壓開(kāi)關(guān)柜局放監(jiān)測(cè)儀
一、產(chǎn)品概述
當(dāng)配電設(shè)備發(fā)生局部放電現(xiàn)象時(shí)，帶電離子會(huì)快速地由帶電體向接地的非帶電體快速遷移，如配電設(shè)備的柜體，并在非帶電體上產(chǎn)生電流行波，且以光速向各個(gè)方向快速傳播。受集膚效應(yīng)的影響，電流行波往往僅集中在柜體的內(nèi)表面，而不會(huì)直接穿透金屬柜體。但是當(dāng)電流行波遇到不連續(xù)的金屬斷開(kāi)或絕緣連接處時(shí)，電流行波會(huì)有金屬柜體內(nèi)表面轉(zhuǎn)移到外表面，并以電磁波形式向自由空間傳播，且在金屬外表面產(chǎn)生暫態(tài)地電壓。而該電壓可用的TEV傳感器布置在開(kāi)關(guān)柜外面進(jìn)行測(cè)量。TEV傳感器類(lèi)似傳統(tǒng)的RF耦合電容器，其殼體可做絕緣和保護(hù)雙重功能，傳感器內(nèi)部可感應(yīng)出高頻脈沖電流信號(hào)
采用暫態(tài)對(duì)地電壓(TEV)測(cè)量和超聲波(US)測(cè)量?jī)煞N新興技術(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)柜進(jìn)行故障檢測(cè)。 設(shè)備采用便攜式，操作簡(jiǎn)單，TEV傳感器貼在箱壁，US傳感器沿著開(kāi)關(guān)柜上的縫隙掃描檢測(cè)，對(duì)高壓開(kāi)關(guān)及開(kāi)關(guān)柜無(wú)任何損害，所有的檢測(cè)對(duì)高壓開(kāi)關(guān)及開(kāi)關(guān)柜設(shè)備的運(yùn)行不產(chǎn)生任何影響。該產(chǎn)品可以對(duì)測(cè)量進(jìn)行信號(hào)多周期觀察，對(duì)放電進(jìn)行頻率識(shí)別，并通過(guò)多種模式進(jìn)行分析，能夠清楚地判斷出開(kāi)關(guān)柜是否出現(xiàn)故障
局部放電發(fā)生前，放點(diǎn)點(diǎn)周?chē)碾妶?chǎng)力絕緣介質(zhì)的機(jī)械應(yīng)力和粒子力處于相對(duì)平衡狀態(tài)。局部放電發(fā)生時(shí)電荷的快速釋放或遷移使電場(chǎng)發(fā)生改變，打破了平衡狀態(tài)，引起周?chē)Ｗ影l(fā)生震蕩性機(jī)械運(yùn)動(dòng)，從而產(chǎn)生聲音或振動(dòng)信號(hào)。超聲波法通過(guò)在設(shè)備腔體外壁上安裝超聲波傳感器來(lái)測(cè)量局部放電信號(hào)。該方法特點(diǎn)是傳感器與地理設(shè)備的電氣回路無(wú)任何，不受電器方面的干擾，但在現(xiàn)場(chǎng)使用時(shí)容易受周?chē)h(huán)境噪聲或設(shè)備機(jī)械振動(dòng)的影響。由于超聲信號(hào)在電力設(shè)備常用絕緣材料中的衰減較大，超聲波檢測(cè)法的檢測(cè)范圍有限，但具有定位準(zhǔn)確度高的優(yōu)點(diǎn)。局部放電產(chǎn)生的聲波的頻譜很寬，可以從幾十Hz 到幾MHz，其中頻率低于20kHz 的信號(hào)能夠被人耳聽(tīng)到，而高于這一頻率的超聲波信號(hào)必須用超聲波傳感器才能接收到。通過(guò)測(cè)量超聲波信號(hào)的聲壓大小，推測(cè)放電的強(qiáng)弱。
高壓開(kāi)關(guān)柜局放監(jiān)測(cè)儀
二、引用標(biāo)準(zhǔn)
局部放電測(cè)量GB/T 7354
電力設(shè)備局部放電現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量導(dǎo)則 DL/T 417
高電壓試驗(yàn)技術(shù) *部分：一般試驗(yàn)要求 GB/T 16927.1
高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第二部分：測(cè)量系統(tǒng) GB/T 16927.2
高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第3 部分: 現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)的定義及要求 GB/T 16927.3
暫態(tài)地電壓（TEV）測(cè)量原理
三、技術(shù)參數(shù)
主機(jī)參數(shù) |
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可檢測(cè)通道數(shù) | 2個(gè)通道，1個(gè)TEV通道，1個(gè)US通道 | |
采樣精度 | 12bit | |
同步方式 | 內(nèi)同步，外同步，光同步 | |
TEV參數(shù) |
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檢測(cè)帶寬 | 3M-80MHz | |
測(cè)量范圍 | 0~60dB | |
測(cè)量誤差 | ±1dB | |
分辨率 | 1dB | |
每周期大脈沖數(shù) | 720個(gè) | |
小脈沖頻率 | 10Hz | |
輸出接口 | 標(biāo)準(zhǔn)SMA | |
US參數(shù) | ||
中心頻率 | 40kHz | |
分辨率 | 0.1uV | |
精度 | ±0.1uV | |
測(cè)量范圍 | 0.5uV～1mV | |
輸出接口 | 標(biāo)準(zhǔn)SMA | |
硬件 | ||
顯示屏 | 4.3” TFT真彩色液晶顯示屏 | |
分辨率 | 480×272 | |
操作 | 薄膜按鍵 | |
存儲(chǔ) | SD卡標(biāo)配16G卡，大支持32G | |
接口 | 3.5mm立體聲耳機(jī)插孔 | |
| DC-005低壓直流充電器輸入口 | |
| 充電LED指示燈 | |
| RS232調(diào)試口 | |
| USBD同步口 | |
| USB2.0 | |
| 網(wǎng)口 | |
| SD卡插槽 | |
電源 |
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內(nèi)部電源 | 電池供電（16.8V鋰電池） | |
正常工作時(shí)間 | 約7小時(shí)，充滿時(shí)間約3小時(shí) | |
尺寸 | ||
長(zhǎng)×寬×高 | 235mm×133mm×48mm | |
重量 | 0.85kg | |
環(huán)境 |
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使用環(huán)境溫度 | -20℃50℃ | |
存儲(chǔ)環(huán)境溫度 | -40℃～70℃ | |
濕度 | 10%-90%（非冷凝） | |
海拔高度 | ≤3000m | |
