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西門子PLC一級(jí)代理商
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問題1：S7-200 CPU內(nèi)部存儲(chǔ)區(qū)類型？
回答：S7-200 CPU內(nèi)部存儲(chǔ)區(qū)分為易失性的RAM存儲(chǔ)區(qū)和保持的EEPROM兩種，其中RAM包含CPU工作存儲(chǔ)區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)域中的V數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)、M數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)、T(定時(shí)器)區(qū)和C(計(jì)數(shù)器)區(qū)，EEPROM包含程序存儲(chǔ)區(qū)、V數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的全部和M數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)的前14個(gè)字節(jié)。
也就是說V區(qū)和MB0-MB13這些區(qū)域都有對(duì)應(yīng)的EEPROM保持區(qū)域。
EEPROM的寫操作次數(shù)是有限制的(少10萬次，典型值為100萬次)，所以請(qǐng)注意只在必要時(shí)才進(jìn)行保存操作。否則，EEPROM可能會(huì)失效，從而引起CPU故障。
EEPROM的寫入次數(shù)如果超過限制之后，該CPU即不能使用了，需要整體更換CPU，不能夠只更換CPU內(nèi)EEPROM，西門子不提供這項(xiàng)服務(wù)。
問題2：S7-200 CPU的存儲(chǔ)卡的作用？
回答：S7-200還提供三種類型的存儲(chǔ)卡用于存儲(chǔ)程序，數(shù)據(jù)塊，系統(tǒng)塊，數(shù)據(jù)記錄（歸檔）、配方數(shù)據(jù)，以及一些其他文件等，這些存儲(chǔ)卡不能用于實(shí)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，只能通過PLC—存儲(chǔ)卡編程的方法將程序塊/數(shù)據(jù)塊/系統(tǒng)塊的初始設(shè)置存于存儲(chǔ)卡內(nèi)。
存儲(chǔ)卡分為兩種，根據(jù)大小共有三個(gè)型號(hào)。
32K存儲(chǔ)卡：僅用于儲(chǔ)存和傳遞程序、數(shù)據(jù)塊和強(qiáng)制值。32K存儲(chǔ)卡只可以用于向新版（23版）CPU傳遞程序，新版CPU不能向32K存儲(chǔ)卡中寫入任何數(shù)據(jù)。而且32K存儲(chǔ)卡不支持存儲(chǔ)程序以外的其他功能。訂貨號(hào)：6ES7 291-8GE20-0XA0。
64K/256K存儲(chǔ)卡：可用于新版CPU（23版）保存程序、數(shù)據(jù)塊和強(qiáng)制值、配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件（如項(xiàng)目文件、圖片等）。64K/256K新存儲(chǔ)卡只能用于新版CPU（23版）。64K存儲(chǔ)卡訂貨號(hào)： 6ES7 291-8GF23-0XA0；256K存儲(chǔ)卡訂貨號(hào)：6ES7 291-8GH23-0XA0。
為了把存儲(chǔ)卡中的程序送到CPU中，必須先插入存儲(chǔ)卡，然后給CPU上電，程序和數(shù)據(jù)將自動(dòng)復(fù)制到RAM及EEPROM中。
存儲(chǔ)卡的使用完整限制條件，請(qǐng)參考《S7-200系統(tǒng)手冊(cè)》附錄A 技術(shù)規(guī)范—可選卡件一節(jié)。
S7-200的外部存儲(chǔ)卡有哪些功能？
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問題3：S7-200 CPU內(nèi)的程序是否具有掉電保持特性？
回答：S7-200 CPU內(nèi)的程序塊下載時(shí)，會(huì)同時(shí)下載到EEPROM中，也就是說程序下載后，將保持。同樣，系統(tǒng)塊和數(shù)據(jù)塊下載時(shí)，也會(huì)同時(shí)下載到EEPROM中。
問題4：S7-200 CPU內(nèi)部的數(shù)據(jù)的掉電保持特性？
回答：S7-200系統(tǒng)手冊(cè)第四章——“PLC基本概念”一章中“理解S7--200如何保存和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)”一節(jié)詳細(xì)介紹了S7-200 CPU內(nèi)數(shù)據(jù)的掉電保持特性，建議用戶仔細(xì)閱讀。
S7-200 CPU內(nèi)的數(shù)據(jù)分為RAM區(qū)和EEPROM區(qū)。
其中，RAM區(qū)數(shù)據(jù)需要CPU內(nèi)置的超級(jí)電容或者外插電池卡才能實(shí)現(xiàn)掉電保持特性。
對(duì)于CPU221和CPU222的內(nèi)置超級(jí)電容，能提供典型值約50小時(shí)的數(shù)據(jù)保持。
對(duì)于CPU224，CPU224XP，CPU224XPsi和CPU226的內(nèi)置超級(jí)電容，能提供典型值約100小時(shí)的數(shù)據(jù)保持。
超級(jí)電容需要在CPU上電時(shí)充電。為達(dá)到上述指標(biāo)的數(shù)據(jù)保持時(shí)間，需要連續(xù)充電至少24小時(shí)。
當(dāng)該時(shí)間不夠時(shí)，可以購(gòu)買電池卡，以獲得更長(zhǎng)時(shí)間的數(shù)據(jù)保持時(shí)間。
EEPROM區(qū)能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)保持，不依靠超級(jí)電容或者電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
問題5：S7-200 CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的工作順序？
回答：S7-200 CPU一上電后，CPU先去檢查RAM區(qū)域中的數(shù)據(jù)，如果在超級(jí)電容或者電池有電的情況下，數(shù)據(jù)并未丟失，則使用該RAM區(qū)的數(shù)據(jù)；如果超級(jí)電容或者電池沒電了，導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失，則CPU去讀EEPROM中相應(yīng)的區(qū)域(包含數(shù)據(jù)塊中的數(shù)據(jù)定義內(nèi)容)，如果在EEPROM中存有保持的數(shù)據(jù)，則CPU將EEPROM中的數(shù)據(jù)寫回到RAM區(qū)中，再進(jìn)行下面的工作。
如果EEPROM中也沒有對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)區(qū)的數(shù)據(jù)了，則該存儲(chǔ)區(qū)的數(shù)據(jù)將變成0。
問題6：S7-200 CPU電池卡的使用注意事項(xiàng)？
回答：新版S7-200 CPU電池卡有兩種型號(hào)。
對(duì)于CPU221和CPU222，由于其中沒有實(shí)時(shí)時(shí)鐘，則對(duì)應(yīng)的為時(shí)鐘電池卡，訂貨號(hào)為：6ES7297--1AA23--0XA0。
對(duì)于CPU224，CPU224XP，CPU224XPsi和CPU226，電池卡僅提供電池功能，訂貨號(hào)為：6ES7 291--8BA20--0XA0，該款電池卡型號(hào)又叫做BC293。
電池卡的壽命典型值約為200天，當(dāng)插上電池卡后，如果CPU處于工作狀態(tài)或者超級(jí)電容有電的情況下，并不消耗電池卡的電量。當(dāng)電池卡的電量消耗完畢之后，該電池卡就報(bào)廢了。
S7-200電池卡不能充電，使用完畢就不能再用了，只能購(gòu)買新的電池卡了。
S7-200沒有檢測(cè)電池卡內(nèi)剩余電量的狀態(tài)位和這種功能。
新版S7-200 CPU電池卡不能用于老CPU，即訂貨號(hào)為6ES7xxx-xxx21-0XB0和6ES7xxx-xxx22-0XB0以及更老版本的CPU。
圖1
以上為兩種電池卡以及所在插槽位置。
電池卡的使用完整限制條件，請(qǐng)參考《S7-200系統(tǒng)手冊(cè)》附錄A 技術(shù)規(guī)范—可選卡件一節(jié)。
問題7：S7-200 CPU內(nèi)EEPROM的使用方法？
回答：EEPROM的寫入分為如下幾種情況：
1、MB0—MB13的設(shè)置，只需要在系統(tǒng)塊—斷電數(shù)據(jù)保持中設(shè)置即可。
默認(rèn)情況下，系統(tǒng)塊設(shè)置如下圖藍(lán)框中所示，即MB14—MB31，這些區(qū)域沒有對(duì)應(yīng)的EEPROM區(qū)域，無須考慮EEPROM寫入次數(shù)限制。
圖2
MB0—MB13如果在系統(tǒng)塊中設(shè)置成掉電保持區(qū)域，如圖2紅框中所示，并將系統(tǒng)塊下載到CPU之后，則這14個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)在掉電的瞬間會(huì)將數(shù)值寫入EEPROM中，如果掉電時(shí)間超過超級(jí)電容和電池的保持時(shí)間之后，再上電時(shí)，CPU會(huì)將EEPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)數(shù)值寫回到RAM中對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)區(qū)，實(shí)現(xiàn)保持?jǐn)?shù)據(jù)的目的。
注意：實(shí)現(xiàn)該功能一定要將修改過的系統(tǒng)塊下載到CPU中。
2、數(shù)據(jù)塊中定義的數(shù)據(jù)，如圖3所示，當(dāng)下載數(shù)據(jù)塊的時(shí)候，同時(shí)會(huì)將定義的數(shù)據(jù)下載到EEPROM中，這樣，當(dāng)?shù)綦姇r(shí)間超過超級(jí)電容和電池的保持時(shí)間之后，再上電時(shí)，CPU會(huì)將EEPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)塊中定義的數(shù)據(jù)數(shù)值寫回到RAM中對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)區(qū)，實(shí)現(xiàn)保持?jǐn)?shù)據(jù)的目的。也就是恢復(fù)成數(shù)據(jù)的初始設(shè)置值。
注意：實(shí)現(xiàn)該功能一定要將定義好數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)塊下載到CPU中。
圖3
3、使用SMB31和SMW32控制字來實(shí)現(xiàn)將V區(qū)的數(shù)據(jù)存到EEPROM中
特殊存儲(chǔ)器字節(jié)31 (SMB31)命令S7-200將V存儲(chǔ)區(qū)中的某個(gè)值復(fù)制到存儲(chǔ)器的V存儲(chǔ)區(qū)，置位SM31.7提供了初始化存儲(chǔ)操作的命令。特殊存儲(chǔ)器字32 (SMW32)中存儲(chǔ)所要復(fù)制數(shù)據(jù)的地址。如圖4為S7-200系統(tǒng)手冊(cè)內(nèi)關(guān)于SMB31和SMW32的使用說明。
圖4
采用下列步驟來保存或者寫入V存儲(chǔ)區(qū)中的一個(gè)特定數(shù)值：
1. 將要保存的V存儲(chǔ)器的地址裝載到SMW32中。
2. 將數(shù)據(jù)長(zhǎng)度裝載入SM31.0和SM31.1。具體含義如圖4所示。
3. 將SM31.7置為1。
圖5
注意：如果在數(shù)據(jù)塊中定義了某地址的數(shù)據(jù)，而又使用這種辦法存儲(chǔ)同樣地址的數(shù)據(jù)，則當(dāng)CPU內(nèi)超級(jí)電容或電池沒電時(shí)，CPU再上電時(shí)將采用SMB31和SMW32存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
問題8：EEPROM寫入次數(shù)的統(tǒng)計(jì)？
回答：每次下載程序塊/數(shù)據(jù)塊/系統(tǒng)塊或者執(zhí)行一次SMB31.7置位的操作都算作對(duì)EEPROM的一次寫操作，所以請(qǐng)注意在程序中一定不要每周期都調(diào)用SMB31/SMW32用于將數(shù)據(jù)寫入EEPROM內(nèi)，否則CPU將很快報(bào)廢。
問題9：不使用數(shù)據(jù)塊的方法，如何在程序中實(shí)現(xiàn)不止一個(gè)V區(qū)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)？
回答：由于SMB31/SMW32一次多只能送入一個(gè)V區(qū)雙字給EEPROM區(qū)域，因而當(dāng)有超過一個(gè)雙字的數(shù)據(jù)需要送入EEPROM中時(shí)，需要程序配合實(shí)現(xiàn)。具體操作方法可參照如下的例子，即使用SMB31/SMW32送完一個(gè)數(shù)據(jù)（字節(jié)/字/雙字）之后，通過一個(gè)標(biāo)志位（如M0.0）來觸發(fā)下一個(gè)SMB31/SMW32操作，之后需要將上一個(gè)標(biāo)志位清零，以用于下一次的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的操作。
由于SM31.7在每次操作結(jié)束之后都自動(dòng)復(fù)位，因而不能使用它作為第二次觸發(fā)操作的條件。
以上程序僅供參考。
1.1 簡(jiǎn)介
HART (Highway Addressable Remote Transducer)，可尋址遠(yuǎn)程傳感器高速通道的開放通信協(xié)議, HART協(xié)議使用FSK技術(shù)，在4~20mA信號(hào)過程量上疊加一個(gè)頻率信號(hào)，成功的實(shí)現(xiàn)模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)雙向通訊，而不互相干擾。
HART 模擬量模塊是指除了可以提供模擬量數(shù)值外，還可以提供 HART 通訊功能的模擬量模塊。HART 模擬量模塊可以用于PROFIBUS-DP 的分布式 I/O 從站中。（使用6ES7153-2BA02-0AB0及更高版本或6ES7153-2BB02-0AB0及更高版本的接口模塊作為連接 PROFIBUS-DP 的從站接口）。
1.2 多變量讀取
在實(shí)際應(yīng)用中通常用SFC58，SFC59進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄的讀寫實(shí)現(xiàn)多變量的讀取。但6ES7153-2BA02-0AB0 或更高版本可以使用HART變量直接進(jìn)行多變量的讀取。
1.3 HART變量
基本要求：IM 153-2（6ES7153-2BA02-0AB0 或更高版本）和 STEP 7（V5.4 SP3 或更高版本）
地址分配：HART 模塊占用 16 個(gè)輸入/輸出字節(jié)。 如果組態(tài) HART 變量，該模塊將為每個(gè) HART變量分配5 個(gè)字節(jié)，其中4個(gè)字節(jié)表示過程值，一個(gè)字節(jié)表示質(zhì)量代碼。
HART變量數(shù)量：6ES7153-2BA02-0AB0模塊可以多分配 8 個(gè) HART 變量，每個(gè)通道的HART 變量不超過 4 個(gè)。 您可以在模塊的屬性對(duì)話框中為通道分配 HART 變量。
IO資源：如果使用全部 8 個(gè) HART 變量，則 每個(gè)HART 模擬量輸入模塊總共占用 56 個(gè)輸入/輸出字節(jié)（16 個(gè)字節(jié) + 8 x 5 個(gè)字節(jié) = 56 個(gè)字節(jié)）。“無”組態(tài)不占用其它輸入字節(jié)。
組態(tài) HART 變量：可以在 STEP 7 HW Config 中分配 HART 變量。
多變量：PV，SV，TV，QV
● PV（Primary Variable，主變量）
● SV（Secundary Variable，二級(jí)變量）
● TV（Teritary Variable，三級(jí)變量）
● QV（Quatenary，四級(jí)變量）
HART變量結(jié)構(gòu)：
圖1
質(zhì)量代碼含義：
| Quality-Code (QC) | Meaning | 含義 |
| 0x4C or 0 | Initialization: 0 value of IM and 4C of module | 初始化：IM 的值為 0，模塊為 4C |
| 0x18 | Communication cancelled / no communication | 通訊已取消/無通訊 |
| 0x0C | Fault in HART device | HART 設(shè)備故障 |
| 0x47 | HART device is busy | HART 設(shè)備繁忙 |
| 0x84 | OK “Configuration changed” | “組態(tài)已更改” |
| 0x80 | OK | 正常 |
表1
1.4 直接讀取HART變量的條件：
(1) IM支持這種通訊方式
(2) 模板信息中有hart variables的可以支持
(3) 儀表本身也要能支持多變量
只有在三者滿足的情況下才可以通訊成功。
接口模板是否支持直接讀取HART變量請(qǐng)參見下圖：
6ES7153-2BA02-0AB0:
圖2
6ES7153-2BA01-0AB0:
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圖3
HART 模擬量模塊是否支持直接讀取HART變量請(qǐng)參見下圖：
其中6ES7331-7TF01-0AB0支持。6ES331-7TF00-0AB0不支持。
圖4
2. 工程實(shí)例
2.1 軟硬件列表
| 模塊(軟件)名稱 | 模塊(軟件)型號(hào) | 定貨號(hào) | 數(shù)量 |
| 底板 | RACK | 6ES7390-1AE80-0AA0 | 1 |
| 電源 | PS307 | 6ES7307-1BA00-0AB0 | 1 |
| CPU | 315-2DP | 6ES7315-2AG10-0AB0 | 1 |
| MMC | MMC 4M | 6ES7953-8LM20-0AA0 | 1 |
| 以太網(wǎng)模塊 | 343-1 | 6GK7343-1CX10-0CE0 | 1 |
| ET200M接口模塊 | IM153-2 | 6ES7153-2BA02-0XB0 | 1 |
| HART模板 | 8XAI | 6ES7331-7TF01-0AB0 | 1 |
| HART儀表 | TH-300 | 7NG3212-0NN00 | 1 |
| 通訊電纜 | 6XV1830-0EH10 | 若干米 | |
| DP接頭 | 6ES7 972-0BB50-0XA0 | 2 | |
| Step7 | V5.4 SP4 | 6ES7810-4CC08-0YA5 | 1 |
表2
2.2 HART模板接線方法：
對(duì)于6ES7331-7TF01-0AB0模板和HART儀表的接線，請(qǐng)參見下圖：
(1)、紅色線為 +24V，黑色線為 0V。
(2)、黃色信號(hào)線為S+，棕色信號(hào)線為S-。
在例程中使用的HART儀表為兩線制，此時(shí)需要短接10，11。如果為四線制則不需要，具體接線請(qǐng)參考模板手冊(cè)。
圖5
2.3 硬件組態(tài)步驟：
a. 使用Step7 v5.4 創(chuàng)建300主站項(xiàng)目，在硬件組態(tài)窗口依訂貨號(hào)添加背板、電源、CPU、343-1模塊。參見下圖：
圖6
b. 雙擊DP接口，添加DP網(wǎng)絡(luò)并定義網(wǎng)絡(luò)參數(shù)。參見下圖：
圖7
c. 添加訂貨號(hào)為6ES7153-2BA02-0AB0的DP從站，并定義地址為8。參見下圖：
圖8
d. 在8號(hào)從站插槽中中添加訂貨號(hào)為6ES7331-7TF01-0AB0的HART模擬量模板，并在通道4.0添加一個(gè)現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備。參見下圖：
圖9
地址分配列表：例程使用了4.0通道，即PIW272
  | 4.0 | 4.1 | 4.2 | 4.3 | 4.4 | 4.5 | 4.6 | 4.7 |
| PIW | 272 | 274 | 276 | 278 | 280 | 282 | 284 | 286 |
表3
e. 雙擊HART模擬量模板，在Inputs標(biāo)簽頁(yè)定義傳感器類型。參見下圖配置：
圖10
f. 在HART variables標(biāo)簽頁(yè)定義HART變量，例程使用了前4個(gè)HART變量。
HART變量分配列表：
Variable 1為通道0的PV值，地址為PID288
Variable 2為通道0的SV值，地址為PID293
Variable 3為通道0的TV值，地址為PID298
Variable 4為通道0的QV值，地址為PID303
參見下圖配置：
圖11
6ES71936AF000AA0 總線適配器BA 2×FC快連式
6ES71936AP000AA0 總線適配器BA 2×SCRJ光纖
6ES71936AP400AA0 總線適配器BA 1×SCRJ光纖/1×FC快連式
6ES71936AP200AA0 總線適配器BA 1×SCRJ光纖/1×RJ45
6ES71936AG000AA0 總線適配器BA 2×LC玻璃光纖, 光纖遠(yuǎn)距離2KM
6ES71936AG200AA0 總線適配器BA 1×LC玻璃光纖/1×RJ45, 光纖遠(yuǎn)距離2KM
6ES71936AG400AA0 總線適配器BA 1×LC玻璃光纖/1×FC快連式, 光纖遠(yuǎn)距離2KM
6ES71936BN000NE0 ET 200SP連接基座 BU-SEND
6ES71936AS000AA0 ET 200SP快連式連接適配器 BA-Send 1×FC
6ES71316BF000BA0 8DI, 24VDC, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0型基座單元
6ES71316BH000BA0 16DI, 24VDC, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0型基座單元
6ES71316BF000AA0 8DI, 24VDC, 基本型, 適用A0型基座單元
6ES71316BF000CA0 8DI, 24VDC, 高性能型, 適用A0型基座單元
6ES71316BF000DA0 8DI, 24VDC, 高速型, 具有高速計(jì)數(shù), 過采樣等功能, 適用A0型基座單元
6ES71316BF600AA0 8DI, 24VDC, 源型輸入, 基本型, 適用A0型基座單元
6ES71316TF000CA0 8DI, NAMUR, 高性能型, 適用A0型基座單元
6ES71316FD000BB1 4DI, 120..230VAC, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用B1型基座單元
6ES71326BD200BA0 4DO, 24VDC/2A, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0型基座單元
6ES71326BD200CA0 4DO, 24VDC/2A, 高性能型, 適用A0型基座單元
6ES71326BD200DA0 4DO, 24VDC/2A, 高速型, 具有PWM, 過采樣等功能, 適用A0型基座單元
6ES71326BF000AA0 8DO, 24VDC/0.5A, 基本型, 適用A0型基座單元
6ES71326BF000BA0 8DO, 24VDC/0.5A, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0型基座單元
6ES71326BF000CA0 8DO, 24VDC/0.5A, 高性能型, 適用A0型基座單元
6ES71326BF600AA0 8DO, 24VDC/0,5A, 漏型輸出, 基本型, 適用A0型基座單元
6ES71326BH000BA0 16DO, 24VDC/0.5A, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0型基座單元
6ES71326FD000BB1 4DO, 24..230VAC/2A, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用B1型基座單元
6ES71326HD000BB1 4RO, 120VDC-230VAC/5A NO, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用B0或B1型基座單元
6ES71326GD500BA0 4RO, 24VDC/2A, CO, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0型基座單元
6ES71326MD000BB1 4RO, 120VDC-230VAC/5A NO, 標(biāo)準(zhǔn)型, 帶手動(dòng)置位, 適用B0或B1型基座單元
6ES71346GB000BA1 2AI, I, 2/4-WIRE, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346FB000BA1 2AI, U, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346GD000BA1 4AI, I, 2/4-WIRE, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346HD000BA1 4AI, U/I, 2-WIRE, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346GF000AA1 8AI, I, 2/4-WIRE, 基本型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346FF000AA1 8AI, U, 基本型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346HB000DA1 2AI, U/I, 2/4-WIRE, 高速型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346HB000CA1 2AI, U/I, 2/4-WIRE, 高性能型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346JD000CA1 4AI, RTD/TC, 2/3/4-WIRE, 高性能型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346JF000CA1 8AI, RTD/TC 2-WIRE, 高性能型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71346PA010BD0 電能測(cè)量模塊, 400VAC, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用D0型基座單元
6ES71346PA200BD0 電能測(cè)量模塊, 480VAC, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用D0型基座單元
6ES71356GB000BA1 2AO, I, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71356FB000BA1 2AO, U, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71356HD000BA1 4AO, U/I, 標(biāo)準(zhǔn)型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71356HB000DA1 2AO, U/I, 高速型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71356HB000CA1 2AO, U/I, 高性能型, 適用A0或A1型基座單元
6ES71376AA000BA0 支持ASCII, 3964R, USS, Modbus, 適用A0型基座單元
6ES71376BD000BA0 IO-LINK主站模塊, CM 4×IO-LINK, 適用A0型基座單元
6ES71386AA000BA0 TM Count 1×24 V, 高速計(jì)數(shù)模塊, 適用A0型基座單元
6ES71386BA000BA0 TM POSINPUT 1, 計(jì)數(shù)及位置檢測(cè)模塊, 支持SSI值編碼器, 適用A0型基座單元
6ES71386CG000BA0 TM TIMER DIDQ 10×24V, 高速計(jì)數(shù), 時(shí)間戳, PWM, 過采樣, 適用A0型基座單元
6ES71386DB000BB1 TM PULSE 2×24V, PWM, 脈沖輸出, 適用B1型基座單元
6ES71936BP000BA0 BU15-P16+A0+2B, 類型A0
6ES71936BP000DA0 BU15-P16+A0+2D, 類型A0, 用于形成新的負(fù)載組
6ES71936BP200BA0 BU15-P16+A10+2B, 類型A0, 帶有10個(gè)輔助端子
6ES71936BP200DA0 BU15-P16+A10+2D, 類型A0, 帶有10個(gè)輔助端子, 用于形成新的負(fù)載組
6ES71936BP000BA1 BU15-P16+A0+2B/T, 類型A1, 帶有溫度測(cè)量
6ES71936BP000DA1 BU15-P16+A0+2D/T, 類型A1, 帶有溫度測(cè)量, 用于形成新的負(fù)載組
6ES71936BP400BA1 BU15-P16+A0+12B/T, 類型A1, 帶有溫度測(cè)量, 帶有2×5個(gè)輔助端子
6ES71936BP400DA1 BU15-P16+A0+12D/T, 類型A1, 帶有溫度測(cè)量, 帶有2×5個(gè)輔助端子, 形成新負(fù)載組
6ES71936BP200BB0 BU20-P12+A4+0B, 類型B0, 適用于20mm繼電器輸出模塊
6ES71936BP200DC0 BU20-P6+A2+4D, 類型C0, 適用于AS-i主站模塊及安全型電源模塊
6ES71936BP000BD0 BU20-P12+A0+0B, 類型D0, 適用于電能測(cè)量模塊
6ES71936BP200BB1 BU20-P12+A0+4B, 類型B1, 適用于繼電器模塊, 脈沖輸出及交流輸入/輸出模塊
6ES71936BP200BC1 BU20-P6+A2+4B, 類型C1, 適用于安全型AS-i主站模塊
6ES71936BP200BF0 BU20-P8+A4+0B, 類型F0, 適用于安全型繼電器輸出模塊
6ES71518AB010AB0 IM151-8 PN/DP CPU
6ES71517AA210AB0 IM151-7 CPU
6ES71517AB000AB0 IM151-7 CPU FO
6ES71384HA000AB0 用于ET 200S CPU
6ES71511BA020AB0 IM151-1 DP HF
6ES71511AA050AA1 IM151-1 DP ST( 6ES7 151-1AA06-0AB0) and DP connector (6ES79720BA120XA0)
6ES71511AA050AA4 IM151-1 DP ST( 6ES7 151-1AA06-0AB0) and DP connector (6ES79720BA420XA0)
6ES71511AA050AA5 IM151-1 DP ST( 6ES7 151-1AA06-0AB0) and DP connector (6ES79720BA520XA0)
6ES71511AA050AB4 IM151-1 DP ST( 6ES7 151-1AA06-0AB0) and DP connector (6ES79720BB420XA0)
6ES71511AA050AB5 IM151-1 DP ST( 6ES7 151-1AA06-0AB0) and DP connector (6ES79720BB520XA0)
6ES71511CA000AB0 IM151-1 DP Basic
6ES71511CA001BL0 IM151-1 DP Compact
6ES71511CA003BL0 IM151-1 DP Compact
6ES71513AA230AB0 IM151-3 PN 標(biāo)準(zhǔn)型
6ES71513BA230AB0 IM151-3 PN 高性能型
6ES71513BB230AB0 IM151-3 PN FO
6ES71384CA010AA0 PM-E, DC 24V
6ES71384CA600AB0 PM-E HF, DC 24V ?
6ES71384CA500AB0 PM-E, DC 24- 48V
6ES71384CB110AB0 PM-E, DC 24- 48V/AC 120- 230V
6ES71934CE000AA0 TM-P15S22-01, 2×2 螺釘型端子, 無 AUX 端子
6ES71934CE100AA0 TM-P15C22-01, 2×2 彈簧型端子, 無 AUX 端子
6ES71934CD200AA0 TM-P15S23-A0, 2×3 螺釘型端子, 與前面的 AUX 斷開
6ES71934CC200AA0 TM-P15S23-A1, 2×3 螺釘型端子, 與前面的 AUX 連接
6ES71934CD300AA0 TM-P15C23-A0, 2×3 彈簧型端子, 與前面的 AUX 斷開
6ES71934CC300AA0 TM-P15C23-A1, 2×3 彈簧型端子，與前面的 AUX 連接
6ES71314BB010AA0 2DI, DC 24V, ST, 5PCS
6ES71314BB010AB0 2DI, DC 24V, HF, 5PCS
6ES71314BD010AA0 4DI, DC 24V, ST, 5PCS
6ES71314BD010AB0 4DI, DC 24V, HF, 5PCS
6ES71314BF000AA0 8DI, DC 24V, ST
6ES71314EB000AB0 2DI, AC 120V, 5PCS
6ES71314FB000AB0 2DI, AC 230V, 5PCS
6ES71314CD020AB0 4DI, UC 24...48V, 5PCS
6ES71314RD020AB0 4DI, DC 24V, NAMUR
6ES71314BF500AA0 8DI, DC 24V, 源型輸入
6ES71324BB010AA0 2DO, DC 24V, 0.5A, ST, 5PCS
化工儀器網(wǎng)