PHI Versaprobe 4 X射線光電子能譜儀

The PHI 5000 Versaprobe II (VP-II) 能提供高性能的微區(qū)光譜，化學(xué)成像，二次電子成像，具有離子與電子雙中和系統(tǒng)，以及可以在極低電壓也可工作的高效能離子槍，UPS適用于表面狀態(tài)分析，能獲得能帶結(jié)構(gòu)。

XPS 作為一種重要的表面分析方法，廣泛應(yīng)用于固體材料表面的元素組分和化學(xué)態(tài)的研究，例如電池材料，催化劑，集成電路，半導(dǎo)體，金屬，聚合物，陶瓷和玻璃等，可滿足從研發(fā)到失效分析的廣泛分析需求。VersaPrabe4 采用了全新設(shè)計(jì)的高靈敏分析器，靈敏度是上一代的2倍，具有更低的檢測(cè)限，能夠?qū)崿F(xiàn)從微區(qū)到大面積的高靈敏度化學(xué)分析。微聚焦掃描X射線和SXI影像，通過類似SEM的SXI影響可以作為樣品導(dǎo)航，實(shí)現(xiàn)100%精準(zhǔn)地定義微區(qū)分析位置

PHI Versaprobe 4 X射線光電子能譜儀應(yīng)用范圍：

包括表面的元素與化學(xué)態(tài)分析（氫和氦除外）。

表面物種的化學(xué)狀態(tài)的識(shí)別，包括有機(jī)和無機(jī)材料，導(dǎo)體和絕緣體。

深入薄膜中的組成元素分布概況，包括半導(dǎo)體、薄膜結(jié)構(gòu)，磁介質(zhì)薄膜，光學(xué)鍍膜，裝飾涂料，和耐磨涂層。

在必須避免會(huì)對(duì)電子束技術(shù)有破壞性效果時(shí)的樣品成分分析。