物理傳感器 返回列表頁

物理傳感器

傳感器。是用標準的生產硅基半導體集成電路的工藝技術制造的。通常還將用于初步處理被測信號的部分電路也集成在同一芯片上。 傳感器則是通過沉積在介質襯底(基板)上的，相應敏感材料的薄膜形成的。使用混合工藝時，同樣可將部分電路制造在此基板上。傳感器是利用相應材料的漿料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后進行熱處理，使厚膜成形。 傳感器采用標準的陶瓷工藝或其某種變種工藝(溶膠-凝膠等)生產。完成適當?shù)念A備性操作之后，已成形的元件在高溫中進行燒結。厚膜和陶瓷傳感器這二種工藝之間有許多共同特性，在某些方面，可以認為厚膜工藝是陶瓷工藝的一種變型。 每種工藝技術都有自己的優(yōu)點和不足。由于研究、開發(fā)和生產所需的資本投入較低，以及傳感器參數(shù)的高穩(wěn)定性等原因。

物理傳感器

MDH-400+E00-5
FPD10N-020GDA01501
101NN-K3-N4-C1A-3-30
MDF-2-250+E04+M01
MDF-5-025+E05+M01
OLFB-10413-001
EK2-G1/2-VA-M3/300
EK2-G1/2-VA-M3/500
FC-T G1/2-75-01 1000955291175900401
NT 63-K4-MS-M3/1270 100052938 034694 008
NT61-HT-M3/370-2K6 0-370MM 24VDC
MTW-5-100+E05+M01+P
NT63-K-MS-M3-820-SSR
NT 63-KN4-MS-M3/970
MES-2/K
MDS-025+E04 4-20mA DC24V
NT63-K-VA-M3/L=520
GAW-5
101NN-K3-N4-C1A-3-30
EDS348-5-016-Y00
FPD10N-020GDA01501
101NN-K3-N4-C1A-3-30
EDS348-5-016-Y00
FPD10N-020GDA01501
MDF-5-250 1000771031377900106
608326/BWT B08-20
MDF-5-025+E05+M01
MTW-9-100+E08+P
MDF-3-025+E04
MDW-3-025+E04+M01
MTF-3-100+E04+P
MTW-9-300+E08+M01+P
MTF-9-100+E08+P
MTW-9-100+E08+M01+P
MDF-5-250+E05+M01
MTW-9-100+E08+M01+0