西門子觸摸屏6AV2124-0GC13-0AX0現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試

S7- 200編程的通用慣例

EN/ENO的定義

EN (允許輸入)是LAD和FBD中框的布爾輸入。要使框指令執(zhí)行，必須使功率達(dá)這個(gè)輸入。在

STL中，指令沒有EN輸入，但是要想使STL指令執(zhí)行，堆棧頂部的邏輯值必須是“1"。

ENO (允許輸出)是LAD和FBD中框的布爾輸出。如果框的EN輸入有功率流并且指令正確執(zhí)行，則

ENO輸出會(huì)將功率流傳遞給下一元素。如果指令的執(zhí)行出錯(cuò)，則功率流在出錯(cuò)的框指令處被中斷。

在STL中沒有允許輸出，但是STL指令象相關(guān)的有ENO輸出的LAD和FBD指令一樣，置位一個(gè)特殊的

ENO位。這個(gè)位可以用AND ENO (AENO)指令訪問，并且可以產(chǎn)生與框的ENO位相同的作用。

表5--1 LAD和FBD中EN/ENO操作數(shù)和數(shù)據(jù)類型

條件輸入/無條件輸入

在LAD和FBD中，依賴于功率流的框或線圈，肯定有其他元素在它的左側(cè)。而于功率流的框或線

圈，其左側(cè)則直接連接到能量線。表5--2展示了一個(gè)既有條件輸入又有無條件輸入的實(shí)例。

表5--2 條件輸入和無條件輸入的表示

沒有輸出的指令

無法級(jí)連的框指令被表示為沒有布爾輸出。這些包括子程序調(diào)用、跳轉(zhuǎn)和條件返回指令。梯形線圈也       只能能量線之后。這些指令包括標(biāo)簽、裝載SCR、SCR條件結(jié)束和SCR結(jié)束指令。它們?cè)?/span>FBD 中以框指令的形式表示，并以無標(biāo)簽的能量輸入和無輸出來辨別。

比較指令

無論是否有功率流，比較指令都會(huì)被執(zhí)行。如果無功率流則輸出0。如果有功率流，輸出值取決于比       較結(jié)果。雖然是作為一個(gè)觸點(diǎn)來執(zhí)行操作，但是SIMATIC FBD、IEC梯形圖和IEC FBD比較指令都是以盒的形式表示的。

使用向?qū)湍鷦?chuàng)建控制程序

STEP7- Micro/WIN提供向?qū)鼓木幊谈詣?dòng)更容易。在第章6 中，具有相關(guān)向?qū)У闹噶顣?huì)有以下指令向?qū)D標(biāo)：

指令向?qū)?/span>

S7- 200中的出錯(cuò)處理

S7- 200將錯(cuò)誤分為致命錯(cuò)誤和非致命錯(cuò)誤。您可以通過選擇PLC > 信息菜單命令，來查看因錯(cuò)誤而產(chǎn)生的錯(cuò)誤代碼。

圖5--6給出了PLC信息對(duì)話框，其中包括錯(cuò)誤代碼和錯(cuò)誤描述。

“上個(gè)致命錯(cuò)誤"域顯示S7--200發(fā)生的前*命錯(cuò)誤代碼。如果RAM區(qū)具有保持 性，則在整個(gè)電源周期內(nèi)也將保持該數(shù)

值。當(dāng)S7- 200全清或者RAM區(qū)掉電保護(hù)失敗時(shí)，該區(qū)也被。

“致命錯(cuò)誤總計(jì)"域是前一次CPU所有存儲(chǔ)區(qū)后產(chǎn)生致命錯(cuò)誤的。如果

RAM區(qū)具有保持性，則在整個(gè)電源周期內(nèi)

也會(huì)保持該數(shù)值。當(dāng)S7- 200全清或者

RAM區(qū)掉電保護(hù)失敗時(shí)，該區(qū)也被。

附錄C列出了S7-200的錯(cuò)誤代碼，而附錄

D描述了可以用于錯(cuò)誤的特殊存儲(chǔ)區(qū)

(SM)位。

非致命錯(cuò)誤

圖5--6 PLC信息對(duì)話框