熱釋光退火爐

產(chǎn)品介紹：

CTLD-T200精密熱釋光退火爐是開(kāi)展個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)放射衛(wèi)生技術(shù)服務(wù)機(jī)構(gòu)專用產(chǎn)品。是對(duì)熱釋光探測(cè)器進(jìn)行熱處理的專用設(shè)備，用于熱釋光探測(cè)器使用前和照射后的熱處理（退火）。使用前的熱處理用于消除探測(cè)器的殘余劑量（測(cè)后殘余劑量）和本底劑量（放置一段時(shí)間所產(chǎn)生的劑量值），恢復(fù)探測(cè)器的初始靈敏度和發(fā)光曲線形狀；照后低溫退火用于消除探測(cè)器的低溫峰，縮短測(cè)量周期，多用于大批量探測(cè)器的測(cè)量中。CTLD-T200熱釋光退火爐是理想的退火裝置。

技術(shù)性能：

控溫范圍：從室溫到400℃連續(xù)可調(diào)

溫度顯示：液晶屏顯示

加熱體溫度波動(dòng)：≤±2℃

升溫速度：室溫至400℃≤0.5h

標(biāo)定溫度：100℃，140℃，240℃，290℃，400℃

控溫精度：≤±1℃

工作時(shí)間：連續(xù)工作，8h內(nèi)溫度漂移＜±0.5%

電源：交流220V、50HZ

尺寸：440mm×400mm×450mm

熱釋光劑量片主要計(jì)量學(xué)特征：

1、發(fā)光曲線：LiF:Mg,Ti熱釋光探測(cè)器在300℃以下具有6個(gè)發(fā)光峰，一般第5個(gè)峰作為劑量測(cè)定峰，峰值溫度為210℃左右。

2、衰退：≤5.6%/年。

3、均勻性：≤±3%（和探測(cè)器的分散性有關(guān)）

4、線性范圍：10^-4～3Gy。  

5、重復(fù)性：LiF:Mg,Ti熱釋光探測(cè)器重復(fù)性符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《個(gè)人和環(huán)境監(jiān)測(cè)用熱釋光劑量測(cè)量系統(tǒng)》（GB10264-2014）規(guī)定的要求，其重復(fù)使用性能隨使用次數(shù)的增加更加穩(wěn)定，一般在上百次以上。

6、長(zhǎng)期穩(wěn)定性：在環(huán)境溫度低于40℃的環(huán)境下，累積劑量信息的衰退在3-6個(gè)月內(nèi)可以忽賂不計(jì)，若環(huán)境溫度≥50℃時(shí)，則其劑量信息的衰退約為（3-5）％/月。

7、能量相應(yīng)：1.30（對(duì)30keV的X射線與⁶⁰Coγ射線的響應(yīng)比）

8、光照效應(yīng)：對(duì)于室內(nèi)散射日光、白熾燈光、日光燈無(wú)明顯響應(yīng)，對(duì)于直射陽(yáng)光照射則有明顯響應(yīng)。

應(yīng)用領(lǐng)域

對(duì)放射性輻射的個(gè)人劑量、事故劑量、皮膚劑量和環(huán)境劑量的自動(dòng)化測(cè)量。應(yīng)用于各級(jí)疾病預(yù)防控制中心、輻射環(huán)境監(jiān)測(cè)站、出入境檢驗(yàn)檢疫、食品藥品檢測(cè)中心、醫(yī)院放射科、核醫(yī)學(xué)科、核電站、高等院校核工程與核技術(shù)研究等。