告別笨重設(shè)備-雙光子3D打印實(shí)現(xiàn)芯片上的真空懸浮與操控
真空懸浮技術(shù)通過將物體與環(huán)境隔離并精確控制其運(yùn)動(dòng),在多個(gè)科學(xué)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。然而,現(xiàn)有的真空懸浮平臺(tái)通常復(fù)雜且體積龐大,限制了其應(yīng)用。
為了解決這個(gè)問題,研究人員開發(fā)了一種混合光學(xué)-靜電芯片,可以在高真空條件下對(duì)二氧化硅納米粒子進(jìn)行懸浮和運(yùn)動(dòng)控制。芯片的上層是光子層,粒子被困在此處,通過分析散射光可以精確檢測(cè)納米粒子的運(yùn)動(dòng);下層是由一組平面電極組成的電層,用于冷卻粒子的運(yùn)動(dòng)。
瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院的Nadine Meyer所在團(tuán)隊(duì)在nature nanotechnology上發(fā)表了相關(guān)論文,展示了一種在芯片上實(shí)現(xiàn)真空懸浮和運(yùn)動(dòng)控制的集成平臺(tái)。
為了方便光纖直接接口,光子層由四個(gè)正交排列的、經(jīng)過切割的單模光纖組成。兩個(gè)反向傳播光束產(chǎn)生的駐波圖案用于捕獲粒子。這種配置有效地抵消了散射力,同時(shí)創(chuàng)造了多個(gè)捕獲點(diǎn)。
研究人員首先考慮沿 y 方向的單駐波,它由兩個(gè) NA=0.1 的單模光纖發(fā)出的、相距160 μm 的等線性偏振反向傳播發(fā)散光束形成。波長為 1550 nm,總功率為 1 W。線性偏振光場(chǎng)與折射率 nr、半徑 R=160nm、極化率α的納米粒子相互作用。在每個(gè)強(qiáng)度波腹處,粒子受到的光學(xué)力產(chǎn)生諧波勢(shì),理論機(jī)械本征頻率Ωx,y,z/(2π)≈(3.5, 89, 3.5) kHz,勢(shì)阱深度 U=42kBT0,其中 kB 是玻爾茲曼常數(shù),T0=300 K(室溫)。為了實(shí)現(xiàn)三維主動(dòng)反饋穩(wěn)定,需要確保沿每個(gè)軸的機(jī)械頻率良好分離。為此,研究人員沿 x 軸增加了第二個(gè)波長 λx=1064 nm 的駐波。兩個(gè)駐波的組合導(dǎo)致沿每個(gè)光軸(x 和 y)產(chǎn)生高頻機(jī)械模式,沿垂直軸(z)產(chǎn)生低頻機(jī)械模式。
這兩對(duì)光纖還通過檢測(cè)粒子的散射來監(jiān)測(cè)其位置。利用對(duì)兩個(gè)光軸的訪問,每個(gè)駐波的散射光由正交的光纖對(duì)收集,并用于監(jiān)測(cè)質(zhì)心運(yùn)動(dòng)。這種特別的收集方案在單光束陷阱中是無法實(shí)現(xiàn)的,并且具有更好地適應(yīng)粒子散射模式的優(yōu)點(diǎn)。
制造的芯片尺寸為 0.5 英寸 × 0.5 英寸,并安裝在定制印刷電路板上,用于電氣接口。靜電層由五個(gè)平面電極組成,用于通過電場(chǎng)施加主動(dòng)電反饋。為了實(shí)現(xiàn)可靠的懸浮,精確控制每個(gè)切割光纖的位置至關(guān)重要。因此,每個(gè)光纖都被固定在兩個(gè) U 形機(jī)械支架中,這些支架是通過Nanoscribe雙光子聚合微納加工設(shè)備和 IP-S 光刻膠微加工而成。
為了max陷阱深度,將光纖端面盡可能靠近是有益的。沿 y 方向,光纖包層直徑(125 μm)限制了光纖端面之間的距離。沿 x 方向,光纖端面之間的距離受到發(fā)散的 1550 nm 光束直徑的限制。為了在這些限制條件下留有安全余地并減少反射引起的干擾,研究人員設(shè)置 dy=160 μm 和 dx=80 μm。納米顆粒與芯片表面之間的垂直距離設(shè)置為 203 μm。沒有使用額外的光纖處理或光學(xué)器件進(jìn)行光學(xué)捕獲。
在標(biāo)準(zhǔn)的基于霧化的加載之后,半徑 R≈160 nm 的單個(gè)二氧化硅粒子被捕獲在兩個(gè)波長分別為 λx=1064 nm 和 λy=1550 nm 的駐波的交點(diǎn)處。交叉駐波的一個(gè)特征在于能夠獨(dú)立調(diào)節(jié)機(jī)械本征頻率 Ωq,其中 q=x, y, z。通過降低 1064 nm 駐波的功率 Px,可以觀察到 Ωx 的預(yù)期降低,而 Ωy 保持不變。此外,通過獨(dú)立改變每個(gè)駐波的 Px 和 Py 并提取 Ωx 和 Ωy,驗(yàn)證了 Ωq∝√Pq 的預(yù)期行為。值得注意的是,盡管使用了低數(shù)值孔徑光纖,但實(shí)現(xiàn)的 Ωq 值與高數(shù)值孔徑光學(xué)器件產(chǎn)生的值相當(dāng)。
通過改變相應(yīng)反向傳播光束之間的相對(duì)相位 φq 來控制粒子沿 x、y 的位置。
為了實(shí)現(xiàn)高反饋效率,重要的是要考慮運(yùn)動(dòng)信息輻射模式的角分布。對(duì)于單光束捕獲的粒子,大部分關(guān)于粒子軸向運(yùn)動(dòng)的信息包含在后向散射光中,從而可以通過基于測(cè)量的反饋實(shí)現(xiàn)一維基態(tài)冷卻。與單光束配置相比,駐波的第二束捕獲光束充當(dāng)了具有固定相位關(guān)系的強(qiáng)局部振蕩器。
為了檢測(cè)平面內(nèi)運(yùn)動(dòng),研究人員使用沿 x(y) 的光纖收集 λy=1550 nm (λx=1064 nm) 的散射光,并將其用于平衡零差檢測(cè)方案,以檢測(cè)沿 x(y) 的運(yùn)動(dòng)。為了檢測(cè)沿 z 方向的運(yùn)動(dòng),他們使用了沿 y 的第二根光纖。
為了在真空中冷卻和穩(wěn)定納米粒子的質(zhì)心運(yùn)動(dòng),研究人員沿 q=x, y, z 應(yīng)用了電冷阻尼。納米粒子的質(zhì)心運(yùn)動(dòng)被建模為三個(gè)解耦的諧波振蕩器。
冷阻尼可實(shí)現(xiàn)的zui低溫度 Teff q 由檢測(cè)噪聲 σq 和機(jī)械阻尼 Γm∝p 決定。通過擬合 PSD 數(shù)據(jù),研究人員可以確定振蕩器的有效質(zhì)心溫度 Teff q 和聲子占有率。
由于其緊湊的設(shè)計(jì)和出色的冷卻性能,開發(fā)的平臺(tái)在力和加速度傳感方面顯示出應(yīng)用前景??紤]到檢測(cè)噪聲,最小力和加速度靈敏度超過了熱極限。
總之,這項(xiàng)研究展示了一種在真空中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的光學(xué)芯片懸浮和運(yùn)動(dòng)控制的集成平臺(tái)。盡管使用了低數(shù)值孔徑的商用光纖,但研究人員證明,粒子的位移檢測(cè)達(dá)到了與大型高數(shù)值孔徑光學(xué)器件相當(dāng)?shù)男旁氡取_@種性能已經(jīng)能夠?qū)①|(zhì)心冷卻到數(shù)百個(gè)聲子,并且可以通過進(jìn)一步減小光纖距離來進(jìn)一步提高。該平臺(tái)還為多粒子陣列、光學(xué)綁定和高折射率超原子懸浮等研究提供了潛在應(yīng)用。未來,通過在光纖輸出端集成折射微透鏡或超透鏡,有望進(jìn)一步提高檢測(cè)靈敏度和可實(shí)現(xiàn)的機(jī)械頻率。此外,還可以集成更復(fù)雜的光學(xué)元件,如光纖腔。該平臺(tái)為基于懸浮粒子的量子實(shí)驗(yàn)中混合勢(shì)的使用奠定了基礎(chǔ)。
相關(guān)文獻(xiàn)及圖片出處
doi.org/10.1038/s41565-024-01677-3
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