第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器

第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠(chǎng)家普賽斯儀表，普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等，*國(guó)產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝，為客戶(hù)提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合，幫助用戶(hù)構(gòu)建自定義解決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠(chǎng)家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái)，以及相關(guān)技術(shù)服務(wù)，滿(mǎn)足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度，以及低成本的挑戰(zhàn)。

那么第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀器需要哪些儀器呢？

E系列高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高（3000V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3000V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線(xiàn)電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

E300高電壓源測(cè)單元

HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓"掃描測(cè)試。

HCPL100型高電流脈沖電源

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

P系列脈沖源表

總之，第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試需要的儀器是一系列的，具體可以找生產(chǎn)廠(chǎng)家普賽斯儀表為您提供檢測(cè)方案哦！

選擇普賽斯儀表的理由：
1、國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)
       技術(shù)雄厚，多項(xiàng)磚利，自主可控
2、可定制化方案
       聚焦鮮進(jìn)器件，提供成熟可落地定制化方案
3、對(duì)標(biāo)進(jìn)口
       國(guó)貨精品，品質(zhì)保障，對(duì)標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品