上海伯建生物科技有限公司
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BTX Gemini X2 雙波電穿孔儀

參   考   價(jià): 1000

訂  貨  量: ≥1  件

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地上海

更新時(shí)間:2020-06-29 18:18:14瀏覽次數(shù):416次

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產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè)
BTX Gemini X2 雙波電穿孔儀是為體外和體內(nèi)電穿孔設(shè)計(jì)的雙波電穿孔系統(tǒng),方波技術(shù)為研究者提供了更高的細(xì)胞轉(zhuǎn)染效率和存活率,配合BTX專業(yè)電極實(shí)現(xiàn)基因、藥物和蛋白質(zhì)導(dǎo)入活體體內(nèi)/體外,指數(shù)衰減波則廣泛用于細(xì)菌、酵母、植物細(xì)胞的轉(zhuǎn)化;該儀器預(yù)存有實(shí)驗(yàn)室常規(guī)細(xì)胞的參數(shù)設(shè)置,同時(shí)可導(dǎo)入網(wǎng)絡(luò)下載的專業(yè)protocol庫(kù),大大加快了實(shí)驗(yàn)進(jìn)程。

BTX Gemini X2 雙波電穿孔儀

Gemini X2 是為體外和體內(nèi)電穿孔設(shè)計(jì)的雙波電穿孔系統(tǒng),方波技術(shù)為研究者提供了更高的細(xì)胞轉(zhuǎn)染效率和存活率,配合BTX專業(yè)電極實(shí)現(xiàn)基因、藥物和蛋白質(zhì)導(dǎo)入活體體內(nèi)/體外,指數(shù)衰減波則廣泛用于細(xì)菌、酵母、植物細(xì)胞的轉(zhuǎn)化;該儀器預(yù)存有實(shí)驗(yàn)室常規(guī)細(xì)胞的參數(shù)設(shè)置,同時(shí)可導(dǎo)入網(wǎng)絡(luò)下載的專業(yè)protocol庫(kù),大大加快了實(shí)驗(yàn)進(jìn)程。

預(yù)存、導(dǎo)入protocol
儀器內(nèi)預(yù)存常規(guī)實(shí)驗(yàn)細(xì)胞的protocol,方便用戶的實(shí)驗(yàn)操作;并可通過(guò)電腦控制實(shí)現(xiàn)BTX專業(yè)protocol庫(kù)的下載,存儲(chǔ)到儀器內(nèi)部進(jìn)行調(diào)用。

雙波形電穿孔系統(tǒng)

雙波形電穿孔系統(tǒng),任一波形調(diào)用,不再是簡(jiǎn)單的疊加,同一儀器內(nèi),突破方波、指數(shù)衰減波的相互干擾,實(shí)現(xiàn)方波、指數(shù)衰減波的*整合。

測(cè)量電阻值
電阻值的測(cè)量是電擊過(guò)程中理化環(huán)境的指標(biāo),細(xì)胞轉(zhuǎn)化、轉(zhuǎn)染,指示緩沖液離子濃度合適,避免爆杯、細(xì)胞擊穿;活體電擊,指示實(shí)驗(yàn)部位的理化特征,保證實(shí)驗(yàn)重復(fù)性。

安全性能
電弧淬滅功能,使由電弧引起的損害降至zui低;電阻值測(cè)量,警示使用過(guò)程中對(duì)儀器的外部損傷;短路保護(hù),避免脈沖發(fā)生器遇到短路時(shí)被損壞。

兼容性
BTX各種電穿孔電極,BTX MOS96孔板電穿孔系統(tǒng),腳踏開(kāi)關(guān),電腦控制。

BTX Gemini X2 雙波電穿孔儀

Gemini X2

Gemini SC2

用戶界面

觸摸屏

觸摸屏

方波

 

 

電壓

LV:5-500V/ 1V增量;

HV:505V-3000V/5V增量

LV:10-500V/ 5V增量;

HV:510V-3000V/10V增量 

脈沖時(shí)間

LV:10µs-999µs/1µs增量,1ms-999ms/1ms增量;

HV:10µs-600µs/1µs增量

LV:50µs-10ms/50µs增量,10ms-100ms/1ms增量;

HV:50µs-5ms/50µs增量

脈沖次數(shù)

LV:1-10次;HV:1-3次

脈沖間隔0.1s-10s 

LV:1-10次,脈沖間隔0.1s-10s;

HV:1-2次

電容

LV: 3775μF;HV:85μF;

LV: 3775μF;HV:85μF;

指數(shù)衰減波

 

 

電壓

LV:5-500V/ 1V增量;

HV:505V-3000V/5V增量

LV:10-500V/ 5V增量;

HV:510V-3000V/10V增量

脈沖時(shí)間

LV:1ms-5.158s

HV:0.5ms-133.875ms

LV:1.25ms-3.275s/1.25ms增量

HV:0.5ms-50ms/0.5ms增量

脈沖次數(shù)

1-12次(電阻<100Ω)

1-24次(電阻>100Ω),脈沖間隔5-30s

 

 

電容

LV: 25-3275μF/25μF增量;

HV:10,25,35,50,60,75,85μF

LV: 25-3275μF/25μF增量;

HV:10,25,50μF;

電阻

LV:25-1575Ω/25Ω增量;

HV:50-1575Ω/25Ω增量

50-1000Ω/50Ω增量

 

 

 

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