西門(mén)子模塊6ES7223-3BD30-0XB0

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S7-200 數(shù)據(jù)保持方式及注意事項(xiàng)

S7 200提供幾種保持?jǐn)?shù)據(jù)的方法_，用戶根據(jù)芯要靈活選用：

CPU中內(nèi)置超級(jí)電容，在不太長(zhǎng)的斷電期間內(nèi)為保持?jǐn)?shù)據(jù)和時(shí)鐘提供 電源，不需要附件；

CPU上附加電池卡，與內(nèi)置趙級(jí)電容配合，長(zhǎng)期為時(shí)鐘和數(shù)據(jù)保持提供電源；

使用數(shù)據(jù)模塊，*保存不需要更改的數(shù)據(jù)；

編程時(shí)設(shè)置系統(tǒng)塊，可在CPU斷電時(shí)自動(dòng)*保存至多14個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)；

在用戶程序中編程，根據(jù)需要*保存數(shù)據(jù)。 

西門(mén)子6ES7212-1AB23-0XB8詳細(xì)說(shuō)明 “作為電池行業(yè)的數(shù)字化創(chuàng)新中心，們的目標(biāo)是為創(chuàng)新鏈和產(chǎn)業(yè)鏈提供的數(shù)字化解決方案，涵蓋從性原理計(jì)算到數(shù)字化雙胞胎工廠、從物料到系統(tǒng)的各個(gè)方面，”TIES院長(zhǎng)李泓教授說(shuō)    一、S7 -200的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)

   S7-200 CPU中的數(shù)據(jù)#儲(chǔ)岡分為兩類：易失性的RAM存儲(chǔ)區(qū)，以及*保存的EEPROM(■存儲(chǔ)區(qū)。RAM存儲(chǔ)區(qū)需要為其提供電源方能保持其中的數(shù)據(jù)不丟失。

   S7 - 200中的V數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)、M存儲(chǔ)區(qū)都屬于易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)。要保 存T(定時(shí)器）和C(計(jì)數(shù)器）數(shù)據(jù)，也需要提供電源。

S7 -200 CPU提供 EEPROM存儲(chǔ)器。EEPROM不需要另外的供電就能水久保存數(shù)據(jù)。EKPROM對(duì)應(yīng)于RAM中的V存儲(chǔ)區(qū)和M存儲(chǔ)區(qū)的--部 分，要把數(shù)據(jù)存人EEPROM,需要做一呰設(shè)置•或者編程_.

在S7 200項(xiàng)目的系統(tǒng)坱中，有設(shè)置RAM數(shù)據(jù)保持區(qū)的選項(xiàng)。西門(mén)子6ES7212-1AB23-0XB8詳細(xì)說(shuō)明{ 如果選中某個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)，則〔TMJ會(huì)在斷電時(shí)通過(guò)內(nèi)置超級(jí)電容和 電池卡（如果有）保持其中的數(shù)據(jù)；如果內(nèi)置超級(jí)電容放電完畢而i 數(shù)據(jù)消失，或者選擇了不保持某+數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù).則下次CTLI J 上電時(shí)，會(huì)把EKPROM中相應(yīng)的區(qū)域的內(nèi)容復(fù)制到RAM中。

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