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目錄:北京歐波同光學(xué)技術(shù)有限公司>>電子顯微鏡>>FIB雙束電鏡>> Helios 5 DualBeamFIB雙束電鏡

FIB雙束電鏡
  • FIB雙束電鏡
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 FEI/賽默飛
  • 型號(hào) Helios 5 DualBeam
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 北京市
屬性

>

更新時(shí)間:2023-03-20 09:20:21瀏覽次數(shù):5078評(píng)價(jià)

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同類優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品

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新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),可滿足材料科學(xué)研究人員和工程師對(duì)廣泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是有挑戰(zhàn)性的樣品。

新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡具有 Helios 5 產(chǎn)品系列高性能成像和分析性能。它經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì),可滿足材料科學(xué)研究人員和工程師對(duì)廣泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是具有挑戰(zhàn)性的樣品。


Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡重新定義了高分辨率成像的標(biāo)準(zhǔn):較高的材料對(duì)比度,快、簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確的高質(zhì)量樣品制備,用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描(APT)以及高質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗(yàn)的性能基礎(chǔ)上,新一代的 Helios 5 DualBeam 進(jìn)行了改進(jìn)優(yōu)化,所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動(dòng)或自動(dòng)工作流程的運(yùn)行狀態(tài)。


更易于使用:

Helios 5 是所有體驗(yàn)級(jí)別用戶容易使用的 DualBeam。操作員培訓(xùn)可以從幾個(gè)月縮短到幾天,系統(tǒng)設(shè)計(jì)可幫助所有操作員在各種高級(jí)應(yīng)用程序上實(shí)現(xiàn)一致、可重復(fù)的結(jié)果。


提高了生產(chǎn)率:

Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的先進(jìn)自動(dòng)化功能,增強(qiáng)的穩(wěn)健性和穩(wěn)定性允許無(wú)人值守甚至夜間操作,顯著提高樣品制備通量。


改善時(shí)間和結(jié)果:
Helios 5 DualBeam 現(xiàn)在包括 FLASH,這是一種調(diào)整圖像的新概念。對(duì)于傳統(tǒng)的顯微鏡,每次操作員需要獲取圖像時(shí),必須通過(guò)迭代對(duì)中仔細(xì)調(diào)整顯微鏡。使用 Helios 5 DualBeam,屏幕上的簡(jiǎn)單手勢(shì)將激活 FLASH,將自動(dòng)調(diào)整這些參數(shù)。自動(dòng)調(diào)整可以顯著提高通量、數(shù)據(jù)質(zhì)量并簡(jiǎn)化高質(zhì)量圖像的采集。


半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)參數(shù):



Helios 5 CX

Helios 5 HP

Helios 5 UX

Helios 5 HX

Helios 5 FX


樣品制備與XHR掃描電鏡成像

終樣品制備(TEM薄片,APT)

STEM亞納米成像與樣品制備

SEM

著陸電壓

20ev-30kev

20ev-30kev

分辨率

0.6nm@15kev

1.0nm@1kev

0.6nm@2kev

0.7nm@1kev

1.0nm@500ev

STEM

分辨率@30kev

0.7nm

0.6nm

0.3nm

FIB制備過(guò)程

大材料去除束流

65nA

100nA

65nA

終優(yōu)拋光電壓

2kv

500v

TEM樣品制備

樣品厚度

50nm

15nm

7nm

自動(dòng)化

樣品處理

行程

110×110×65mm

110×110×65mm

150×150×10mm

100×100×20mm

100×100×20mm+5軸(S)TEMCompustage

負(fù)載鎖

手動(dòng)

自動(dòng)

手動(dòng)

自動(dòng)

自動(dòng)+自動(dòng)插入/提取STEM桿


材料科學(xué)行業(yè)技術(shù)參數(shù):

 

 

Helios 5 CX

Helios 5 UX

離子光學(xué)

 

具有*的高電流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒

具有*的大電流和低電壓性能的Phoenix離子鏡筒

離子束電流范圍

1 pA – 100 nA

1 pA – 65 nA

加速電圧

500 V – 30 kV

500 V – 30 kV

大水平視場(chǎng)寬度

在光束重合點(diǎn)時(shí)為0.9 mm

在光束重合點(diǎn)時(shí)為0.7 mm

離子源壽命

1,000 hours

1,000 hours

 

兩級(jí)差動(dòng)泵

兩級(jí)差動(dòng)泵

飛行時(shí)間矯正

飛行時(shí)間矯正

15孔光闌

15孔光闌

電子光學(xué)

Elstar超高分辨率場(chǎng)發(fā)射鏡筒

Elstar超高分辨率場(chǎng)發(fā)射鏡筒

磁浸沒(méi)物鏡

磁浸沒(méi)物鏡

高穩(wěn)定性肖特基場(chǎng)發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流

高穩(wěn)定性肖特基場(chǎng)發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流

電子束分辨率

工作距離下

0.6 nm at 30 kV STEM

0.6 nm at 30 kV STEM

0.6 nm at 15 kV

0.7 nm at 1 kV

1.0 nm at 1 kV

1.0 nm at 500 V (ICD)

0.9 nm at 1 kV 減速模式*

 

在束流重合點(diǎn)

0.6 nm at 15 kV

0.6 nm at 15 kV

1.5 nm at 1 kV 減速模式* and DBS*

1.2 nm at 1 kV

電子束參數(shù)

電子束流范圍

0.8 pA to 176 nA

0.8 pA to 100 nA

加速電壓范圍

200 V – 30 kV

350 V – 30 kV

著陸電壓

20 eV – 30 keV

20 eV – 30 keV

大水平視場(chǎng)寬度

2.3 mm at 4 mm WD

2.3 mm at 4 mm WD

探測(cè)器

Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測(cè)器 (TLD-SE, TLD-BSE)

Elstar i鏡筒內(nèi)SE/BSE 探測(cè)器 (ICD)*

Elstar 鏡筒內(nèi) BSE 探測(cè)器 (MD)*

樣品室內(nèi)Everhart-Thornley SE 探測(cè)器 (ETD)

紅外相機(jī)

高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測(cè)器(SE)*

樣品室內(nèi)樣品導(dǎo)航彩色光學(xué)相機(jī)Nav-Cam Camera*

可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測(cè)器(DBS)*

可伸縮STEM 3+ 探測(cè)器*

電子束流測(cè)量

樣品臺(tái)和樣品

樣品臺(tái)

靈活五軸電動(dòng)

壓電驅(qū)動(dòng)XYR軸的高精度五軸電動(dòng)工作臺(tái)

XY

110 mm

150 mm

Z

65 mm

10 mm

R

360° (連續(xù))

360° (連續(xù))

傾斜

-15° to +90°

-10° to +60°

大樣品高度

與優(yōu)中心點(diǎn)間隔85mm

與優(yōu)中心點(diǎn)間隔55mm

大樣品質(zhì)量

樣品臺(tái)任意位置500 g

樣品臺(tái)任意位置500 g

0° 傾斜時(shí)大5kg

大樣品尺寸

直徑110 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí)

直徑150 mm可沿樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí)

 

優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜

優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜




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