電波暗室（電磁兼容暗室）的構(gòu)造材料介紹

1.電波暗室的分類(lèi)

為了減少反射而在其內(nèi)表面上裝有射頻吸波材料的屏蔽室，稱(chēng)為電波暗室(Anechoic Chamber)，又稱(chēng)射頻無(wú)反射實(shí)驗(yàn)室。具體分類(lèi)如下：

1）按用途分類(lèi)：天線(xiàn)圖測(cè)試室、雷達(dá)截面測(cè)試室、電磁兼容(EMC)測(cè)試室、電子戰(zhàn)(對(duì)抗)測(cè)試室。

2）按形狀分類(lèi)：矩形電波暗室、錐型電波暗室。

3）按內(nèi)表面吸波材料的粘貼方式分類(lèi)：半電波暗室、全電波暗室和改進(jìn)型半電波暗室。

4）按尺寸分類(lèi)：超緊縮型預(yù)測(cè)式全波暗室、最小實(shí)用尺寸電波暗室、小型電波暗室、3米法電波暗室、5米法電波暗室、10米法電波暗室。

其中，電磁兼容測(cè)試室主要采用半電波暗室，其主要用于替代開(kāi)闊場(chǎng)（OATS），并具有一些優(yōu)于OATS的長(zhǎng)處，如:不受天氣條件的限制和背景噪聲的影響等。它主要用于進(jìn)行電磁騷擾的測(cè)試。另外，一些輻射騷擾抗擾度的測(cè)試也可以在半電波暗室中進(jìn)行。

2.半電波暗室性能指標(biāo)及測(cè)試點(diǎn)

評(píng)價(jià)一個(gè)半電波暗室是否合格，通常有以下幾個(gè)重要指標(biāo)：屏蔽效能、歸一化場(chǎng)地衰減（NSA）、場(chǎng)均勻性、場(chǎng)地駐波比測(cè)試和背景噪聲。其中，NSA測(cè)試是指采用認(rèn)可的方法在測(cè) 量場(chǎng)地測(cè)出的傳輸天線(xiàn)和接收天線(xiàn)之間的電磁波衰減，相對(duì)NSA，場(chǎng)地駐波比測(cè)試更為嚴(yán)格，評(píng)價(jià)半電波暗室性能的依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)、相關(guān)性能要求及測(cè)試點(diǎn)如下圖。

3.暗室主體建設(shè)注意事項(xiàng)

半電波暗室在結(jié)構(gòu)上由屏蔽室和吸波材料兩部分組成，鐵氧體和尖劈吸波材料覆蓋于頂部及四面墻，底部采用高架地板和反射地面，下面介紹一些建設(shè)中注意事項(xiàng)，從而保證整個(gè)暗室的優(yōu)異性能。其中，暗室主體部分的一些性能要求，如下圖

暗室屏蔽層及主體鋼結(jié)構(gòu)與基建絕緣，可采用厚橡膠達(dá)到絕緣和防潮要求。屏蔽體未接地時(shí)應(yīng)與地隔離，對(duì)地電阻應(yīng)大于2MΩ；屏蔽殼體單點(diǎn)接地時(shí)，接地電阻≤1Ω。在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面：

1）屏蔽室結(jié)構(gòu)，采用拼裝式，比焊接式更易搬遷，而三明治式易熱脹冷縮，受潮變形，不適合北方氣候；

2）屏蔽體鋼結(jié)構(gòu)要保證穩(wěn)定，頂部應(yīng)設(shè)計(jì)合理，能承受足夠重量；

3）屏蔽室內(nèi)表面應(yīng)非常平整，滿(mǎn)足δ≤10mm ，便于用于安裝吸波材料，安裝完吸波體后屏蔽體的頂部和四周不發(fā)生明顯的變形。