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如何選擇透射電鏡的常用耗材?

閱讀:917        發(fā)布時(shí)間:2022/10/19
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  氮化硅薄膜窗口是透射電鏡常用的耗材,在樣品桿上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求的不同,科研人員采用不同的樣品桿和氮化硅薄膜窗口進(jìn)行相關(guān)實(shí)驗(yàn)。有些實(shí)驗(yàn),對(duì)樣品桿有加熱的功能需求,因此出現(xiàn)了加熱樣品桿和加熱氮化硅薄膜窗口(加熱芯片)。
  加熱桿的電熱電子芯片采用*的加熱技術(shù),在絕緣層上添加了額外電極圖案。這種分離電刺激的設(shè)計(jì),減少了電流的泄漏和保持了信號(hào)的完整性,從而能夠在一個(gè)穩(wěn)定的平臺(tái)上同時(shí)進(jìn)行試樣的加熱和電化學(xué)表征。
  電學(xué)表征:透射電鏡的電學(xué)測(cè)試面臨的最大挑戰(zhàn)是:表征納米尺度樣品的電學(xué)性能時(shí),所需要的電流非常小,通常小于1nA,并且必須被準(zhǔn)確的加載和測(cè)量以確保結(jié)果的準(zhǔn)確性。選擇合適的加熱桿才能獲得可靠的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。根據(jù)加熱桿,定制加熱氮化硅薄膜窗口(加熱芯片)或者加熱桿廠家直接提供都是可以的。
  原位芯片提供的定制熱學(xué)/加熱芯片是依靠氮化硅膜超高的穩(wěn)定性和低熱容量的特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的原位熱學(xué)觀測(cè)。芯片使用鉑為加熱電極層與信號(hào)反饋層,可耐受1200℃高溫。定制加熱氮化硅薄膜窗口(加熱芯片)可高分辨地對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)組分、元素價(jià)態(tài)進(jìn)行綜合表征。適合:真空條件下的熱反應(yīng)過程(如材料相變)以及電學(xué)下的氧化還原反應(yīng)等。

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