原位加熱加電樣TKD品臺(tái)可以讓用戶(hù)在掃描電子顯微鏡 (SEM) 或聚焦離子束 (FIB) 內(nèi)進(jìn)行原位加熱和/或電學(xué)實(shí)驗(yàn)。 特別是對(duì)于 TEM 用戶(hù)，該平臺(tái)允許用戶(hù)在 SEM 內(nèi)進(jìn)行相對(duì)快速的初步原位樣品表征，以便為進(jìn)一步的TEM 實(shí)驗(yàn)開(kāi)發(fā)工作流程，從而節(jié)省寶貴的 TEM 時(shí)間，提高高效的解決方案。
 

　　技術(shù)參數(shù)：
 

　　1.       *電極數(shù)：8電極(可同時(shí)加熱和加電)
 

　　2.       *金屬加熱絲，非陶瓷材料，升溫降溫速度快，即是熱導(dǎo)材料，又是熱敏材料，其電阻與溫度有良好的線(xiàn)性關(guān)系。金屬加熱絲是被SiN包裹，不與樣品發(fā)生反應(yīng)。
 

　　3.       *溫度范圍：高溫芯片：室溫到1100℃，超高溫芯片：室溫到 1300℃，熱電一體芯片：室溫到 900℃。
 

　　4.       *溫度穩(wěn)定性：加熱到 1300℃時(shí)，只有 < 0.01℃的溫度變化
 

　　5.       *加熱控制方式：四電極法閉合回路控制和反饋環(huán)境溫度
 

　　6.       *最高電場(chǎng)：300kV/cm(室溫-900℃)
 

　　7.       *最高工作電壓： 150V(室溫-900℃)
 

　　8.       最小的檢測(cè)電流：pA范圍
 

　　9.      溫度精確度：≥95%
 

　　10.    溫度均勻度：≥99.5%
 

　　原位加熱加電樣TKD品臺(tái)工作原理：在掃描電鏡中對(duì)樣品加熱在許多材料科學(xué)研究中已經(jīng)成了一項(xiàng)的手段，使用掃描電鏡原位加熱臺(tái)可以進(jìn)行動(dòng)態(tài)地觀(guān)察溫度變化過(guò)程中的材料微觀(guān)變化及失效分析。如今被廣泛應(yīng)用于金屬材料、液晶檢測(cè)、半導(dǎo)體、高分子材料、流體包裹體、生物工程等眾多領(lǐng)域。原位加熱臺(tái)能夠使我們動(dòng)態(tài)地觀(guān)察樣品在加熱過(guò)程中的相變、再結(jié)晶、晶粒生長(zhǎng)與氧化現(xiàn)象。