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| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子 |
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產(chǎn)品分類品牌分類
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AAA+級(jí)雙光太陽(yáng)光模擬器 AAA太陽(yáng)光模擬器 150W 太陽(yáng)光模擬器 聚光太陽(yáng)光模擬器 太陽(yáng)能電池IV性能測(cè)試儀 太陽(yáng)能電池組件測(cè)試儀 太陽(yáng)能電池測(cè)試 多通道太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試 OLED模擬軟件 太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試 太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試 光纖太陽(yáng)光模擬器 光譜響應(yīng)/量子效率量測(cè)儀 全光譜太陽(yáng)光模擬器 太陽(yáng)能電池量子效率測(cè)試系統(tǒng) AAA級(jí)太陽(yáng)光模擬器 雙燈太陽(yáng)光模擬器 穩(wěn)態(tài)太陽(yáng)光模擬器 瞬態(tài)光電流/光電壓測(cè)試系統(tǒng) 太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試設(shè)備 載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試（載流子遷移率測(cè)量系統(tǒng)，瞬態(tài)光電流/光電壓測(cè)量系統(tǒng)、瞬態(tài)光電性能測(cè)量系統(tǒng)），發(fā)光器件發(fā)光光譜分析系統(tǒng)以及相關(guān)器件的軟件仿真研發(fā)系統(tǒng)，對(duì)于光電器件微觀機(jī)理研究提供了測(cè)試方法；多功能一體化瞬態(tài)測(cè)試平臺(tái)，不但可以測(cè)量器件的載流子遷移率、載流子壽命、載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程、阻抗譜等，還可以對(duì)瞬態(tài)光電流譜TPC，瞬態(tài)光電壓譜TPV、調(diào)制光電流譜IMPS、瞬態(tài)光電壓譜IMVS等進(jìn)行測(cè)量分析，分析器件中的載流子特性和瞬態(tài)過(guò)程。
太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試
主要應(yīng)用：
* 無(wú)機(jī)半導(dǎo)體光電器件，有機(jī)半導(dǎo)體光電器件；
* 有機(jī)太陽(yáng)能電池OPV；
* 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池Perovskite Solar Cell，鈣鈦礦LED；
* 無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池（例如：?jiǎn)尉Ч?、多晶硅、非晶硅等硅基太?yáng)能電池）；
* 有機(jī)太陽(yáng)能電池OPV；
* 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池Perovskite Solar Cell，鈣鈦礦LED；
* 無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池（例如：?jiǎn)尉Ч?、多晶硅、非晶硅等硅基太?yáng)能電池）；
* 染料敏化太陽(yáng)能電池DSSC；
主要測(cè)量功能：
* 功率點(diǎn)MMP、FF、Voc、Isc、VS 光強(qiáng)，遷移率（I-V測(cè)試 & I-V-L測(cè)試，空間電荷限制電流SCLC法）
* 載流子密度，載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電流法 TPC）
* 載流子壽命，載流子符合動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開(kāi)路電壓法 TPV）
* 載流子遷移率（暗注入瞬態(tài)法 DIT，單載流子器件&OLED）
* 串聯(lián)電阻，幾何電容，RC時(shí)間（電壓脈沖法 Pulse Voltage）
* 參雜密度，電容率，串聯(lián)電阻，載流子遷移率（暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV）
* 載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV）
* 載流子復(fù)合過(guò)程，朗之萬(wàn)函數(shù)復(fù)合前因子（時(shí)間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法 Delaytime-CELIV）
* 不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV）
* 幾何電容，電容率（MIS線性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV）
* 陷阱強(qiáng)弱度，等效電路（阻抗譜測(cè)試 IS）
* 遷移率，陷阱強(qiáng)弱度，電容，串聯(lián)電阻（電容VS頻率 C-f）
* 內(nèi)建電壓，參雜濃度，注入勢(shì)壘，幾何電容（電容VS電壓 C-V）
* 點(diǎn)亮電壓（電流電壓照度特性 I-V-L）
* 發(fā)光壽命，載流子遷移率（瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL）
* 載流子密度，載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電流法 TPC）
* 載流子壽命，載流子符合動(dòng)力學(xué)過(guò)程（瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開(kāi)路電壓法 TPV）
* 載流子遷移率（暗注入瞬態(tài)法 DIT，單載流子器件&OLED）
* 串聯(lián)電阻，幾何電容，RC時(shí)間（電壓脈沖法 Pulse Voltage）
* 參雜密度，電容率，串聯(lián)電阻，載流子遷移率（暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV）
* 載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV）
* 載流子復(fù)合過(guò)程，朗之萬(wàn)函數(shù)復(fù)合前因子（時(shí)間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法 Delaytime-CELIV）
* 不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV）
* 幾何電容，電容率（MIS線性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV）
* 陷阱強(qiáng)弱度，等效電路（阻抗譜測(cè)試 IS）
* 遷移率，陷阱強(qiáng)弱度，電容，串聯(lián)電阻（電容VS頻率 C-f）
* 內(nèi)建電壓，參雜濃度，注入勢(shì)壘，幾何電容（電容VS電壓 C-V）
* 點(diǎn)亮電壓（電流電壓照度特性 I-V-L）
* 發(fā)光壽命，載流子遷移率（瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL）
* 載流子遷移率（TEL瞬態(tài)電致發(fā)光，Photo-CELIV線性增壓抽取載流子）
* OLED/鈣鈦礦LED發(fā)光特性測(cè)量（發(fā)光器件測(cè)量）；
* OLED/鈣鈦礦LED發(fā)光特性測(cè)量（發(fā)光器件測(cè)量）；
測(cè)量技術(shù)：
1）IV/IVL特性：通過(guò)曲線可以得到樣品的電流電壓特性關(guān)系、電流電壓與光強(qiáng)的特性關(guān)系；
*對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體材料可通過(guò)空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等；|
2）瞬態(tài)光電流響應(yīng)法（Transient Photocurrent ）：研究載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程和載流子密度等；
3）瞬態(tài)光電壓（Transient Photovoltage）：研究載流子壽命和復(fù)合過(guò)程；
4) 雙脈沖瞬態(tài)光電流（Double Transient Photocurrent）：分析電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過(guò)程；
5) 暗注入瞬態(tài)法（Dark Injection）：對(duì)于單載流子器件和OLED，研究其載流子遷移率；
6) 電壓脈沖法（Voltage Pulse）：串聯(lián)電阻、幾何電容和RC效應(yīng)分析；
7) 暗態(tài)線性增壓載流子瞬態(tài)法（Dark-CELIV）：參雜濃度、相對(duì)介電常數(shù)、串聯(lián)電阻、電荷載流子遷移率測(cè)量；
8) 光照線性增壓載流子瞬態(tài)法（Photo-CELIV）：提取有機(jī)太陽(yáng)能電池片內(nèi)載流子遷移率mobility ，以及載流子濃度分析等；
9) 時(shí)間延遲線性增壓載流子瞬態(tài)法（Delaytime-CELIV）：復(fù)合動(dòng)態(tài)過(guò)程分析和郎之萬(wàn)復(fù)合因子分析等；
10）注入線性增壓載流子瞬態(tài)法（Injection-CELIV）：電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測(cè)量分析；
11）MIS-CELIV：幾何電容和相對(duì)介電常數(shù)分析；
12）阻抗譜測(cè)量（Impedance Spectroscopy）：器件等效電路分析等；
13）電容頻率測(cè)量法（C-f）: 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯(lián)電阻測(cè)量；
14）電容電壓測(cè)量法（C-V）：內(nèi)建電壓、參雜濃度和幾何電容等測(cè)量；
1）IV/IVL特性：通過(guò)曲線可以得到樣品的電流電壓特性關(guān)系、電流電壓與光強(qiáng)的特性關(guān)系；
*對(duì)于有機(jī)半導(dǎo)體材料可通過(guò)空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等；|
2）瞬態(tài)光電流響應(yīng)法（Transient Photocurrent ）：研究載流子動(dòng)力學(xué)過(guò)程和載流子密度等；
3）瞬態(tài)光電壓（Transient Photovoltage）：研究載流子壽命和復(fù)合過(guò)程；
4) 雙脈沖瞬態(tài)光電流（Double Transient Photocurrent）：分析電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過(guò)程；
5) 暗注入瞬態(tài)法（Dark Injection）：對(duì)于單載流子器件和OLED，研究其載流子遷移率；
6) 電壓脈沖法（Voltage Pulse）：串聯(lián)電阻、幾何電容和RC效應(yīng)分析；
7) 暗態(tài)線性增壓載流子瞬態(tài)法（Dark-CELIV）：參雜濃度、相對(duì)介電常數(shù)、串聯(lián)電阻、電荷載流子遷移率測(cè)量；
8) 光照線性增壓載流子瞬態(tài)法（Photo-CELIV）：提取有機(jī)太陽(yáng)能電池片內(nèi)載流子遷移率mobility ，以及載流子濃度分析等；
9) 時(shí)間延遲線性增壓載流子瞬態(tài)法（Delaytime-CELIV）：復(fù)合動(dòng)態(tài)過(guò)程分析和郎之萬(wàn)復(fù)合因子分析等；
10）注入線性增壓載流子瞬態(tài)法（Injection-CELIV）：電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測(cè)量分析；
11）MIS-CELIV：幾何電容和相對(duì)介電常數(shù)分析；
12）阻抗譜測(cè)量（Impedance Spectroscopy）：器件等效電路分析等；
13）電容頻率測(cè)量法（C-f）: 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯(lián)電阻測(cè)量；
14）電容電壓測(cè)量法（C-V）：內(nèi)建電壓、參雜濃度和幾何電容等測(cè)量；
15）瞬態(tài)電致發(fā)光測(cè)試（Transient Electroluminescence）：抽取OLED器件的載流子，磷光壽命測(cè)量；
另外，我公司提供其他太陽(yáng)能電池測(cè)試設(shè)備：
1.太陽(yáng)能電池光譜響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)、IPCE測(cè)試系統(tǒng)、量子效率測(cè)試系統(tǒng)；
2.太陽(yáng)能電池測(cè)量系統(tǒng)（光譜響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng),IPCE測(cè)試系統(tǒng),量子效率測(cè)試系統(tǒng)，I-V曲線測(cè)量系統(tǒng)），太陽(yáng)能電池測(cè)試儀；
3.太陽(yáng)能電池I-V曲線測(cè)量系統(tǒng)；
4.I-V 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)；
5.大面積太陽(yáng)能模擬器/太陽(yáng)光模擬器/全光譜太陽(yáng)光模擬器；
6.太陽(yáng)能電池分選機(jī)；
7.太陽(yáng)能電池I-V測(cè)試儀；
8.分光輻射度計(jì)，
9.參考電池/標(biāo)準(zhǔn)電池，
10.有機(jī)太陽(yáng)能電池載流子遷移率測(cè)量系統(tǒng)；
11.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池載流子遷移率測(cè)量系統(tǒng)；
2.太陽(yáng)能電池測(cè)量系統(tǒng)（光譜響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng),IPCE測(cè)試系統(tǒng),量子效率測(cè)試系統(tǒng)，I-V曲線測(cè)量系統(tǒng)），太陽(yáng)能電池測(cè)試儀；
3.太陽(yáng)能電池I-V曲線測(cè)量系統(tǒng)；
4.I-V 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)；
5.大面積太陽(yáng)能模擬器/太陽(yáng)光模擬器/全光譜太陽(yáng)光模擬器；
6.太陽(yáng)能電池分選機(jī)；
7.太陽(yáng)能電池I-V測(cè)試儀；
8.分光輻射度計(jì)，
9.參考電池/標(biāo)準(zhǔn)電池，
10.有機(jī)太陽(yáng)能電池載流子遷移率測(cè)量系統(tǒng)；
11.鈣鈦礦太陽(yáng)能電池載流子遷移率測(cè)量系統(tǒng)；
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