無掩膜光刻系統(tǒng) 返回列表頁

小型化設計：結構緊湊，主機尺寸為 300mm（寬）×450mm（深）×450mm（高），占用空間小，方便在實驗室等空間有限的環(huán)境中使用。

內置隔振機構：采用浮動結構，能有效抑制振動，確保光刻過程的精度和穩(wěn)定性，無需額外配備復雜的隔振臺，降低了對使用環(huán)境的要求。

內置真空吸油泵：真空吸附功能可以牢固地固定工作臺上的基片或樣品，防止在光刻過程中發(fā)生位移，保證曝光的準確性。

低使用成本：相比一些大型的光刻設備，該設備在能源消耗、維護成本等方面具有優(yōu)勢，并且不需要使用冷卻液體和壓縮氣體等額外的輔助設備，降低了使用成本和設備運行的復雜性。

用戶友好型接口：操作軟件界面簡潔直觀，易于上手，方便用戶進行操作和參數(shù)設置，即使是非專業(yè)的光刻技術人員也能快速掌握設備的使用方法。

簡易流程：光刻操作流程簡單，用戶只需將設計好的圖形導入軟件，選擇相應的曝光參數(shù)，即可進行光刻操作，大大提高了工作效率。

支持對準和曝光條件檢查：對于一些對對準精度要求較高的光刻工藝，該設備能夠提供準確的對準功能，確保圖形的準確曝光。同時，用戶可以在軟件中檢查曝光條件，以便及時調整參數(shù)，保證光刻效果12。

曝光光源：采用 365nm（典型值）的 LED 光源，具有較高的能量穩(wěn)定性和較長的使用壽命，能夠滿足多種光刻膠的曝光需求。

線寬精度：在使用不同物鏡的情況下，可實現(xiàn)不同的最小線寬。例如，在使用 ×10 物鏡時，最小線寬可達 3μm；使用 ×2 物鏡時，最小線寬為 15μm，能夠滿足微納結構制作的精度要求。

曝光面積：單次曝光面積根據(jù)物鏡的不同有所差異，如使用 ×10 物鏡時，單次曝光面積為 1mm×0.6mm；使用 ×2 物鏡時，單次曝光面積為 5mm×3mm。最大曝光區(qū)域為 25mm×25mm（手動或自動連接），對于一些小型的芯片、微流控器件等的制作具有較好的適用性。

兼容文檔格式：可接受的文檔格式豐富，包括 dxf、jpeg、png、bitmap、xps 等，方便用戶導入各種設計圖形。