薄膜沉積技術多種多樣，如圖1所示，總體來說可以分為滲入法和沉積法。前者屬于高溫工藝，其工藝兼容性有限，通常作為半導體的前處理和結構件的后處理手段；后者一般為常溫或者低溫沉積工藝，應用廣泛。

圖1：典型的薄膜沉積工藝

基于青島芯笙微納電子科技有限公司MFC-C系列高精度質量流量控制器，基于微機電技術進行制造，流道大、壓損小、抗污染能力強，且長期穩(wěn)定性好，非常適合薄膜沉積工藝中的氣相沉積、高溫擴散，以及真空鍍膜領域。

圖2：真空鍍膜設備

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   青島芯笙MFC-C系列質量流量控制器（Mass Flow Controller）是一款智能化、高精度的氣體質量流量控制器產品，該產品配備有進口電磁比例閥、316L 不銹鋼氣路座、高精度微機電流量芯片等，具有精度高、響應速度快、穩(wěn)定性好等特點。在輸出方面，可選擇：4-20mA 和 1-5V 模擬信號，以及 RS485 等數(shù)字通信方式。 此系列產品的量程從5SCCM到10SLM內可選，典型精度為±1.0%F.S.，年漂移量≤1%FS。