1.MS450是一臺(tái)高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備。
2.設(shè)備主要由真空室、濺射靶槍、濺射電源、加熱樣品臺(tái)、流量控制系統(tǒng)、真空獲得系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、PLC+觸摸屏自動(dòng)控制系統(tǒng)等組成。
3.該設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計(jì)，操控方便；結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小。
小型鍍膜設(shè)備是為掃描電鏡和電子探針等進(jìn)行試樣制備的設(shè)備，可進(jìn)行真空蒸碳、真空鍍膜和離子濺射，它也可以在高純氬氣的保護(hù)之下進(jìn)行多種離子處理。用本設(shè)備處理的試樣既可用于樣品的外貌觀察又可以進(jìn)行成分分析，尤其是成分的定量分析更為適宜。本儀器配有機(jī)械泵、分子泵，分子泵系統(tǒng)特別適用于對(duì)真空度要求高、真空環(huán)境好的用戶選用。
1.MS450是一臺(tái)高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備。
2.設(shè)備主要由真空室、濺射靶槍、濺射電源、加熱樣品臺(tái)、流量控制系統(tǒng)、真空獲得系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、PLC+觸摸屏自動(dòng)控制系統(tǒng)等組成。
3.該設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計(jì)，操控方便；結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小。
4.主要用途：
1. 開發(fā)納米級(jí)單層、多層及復(fù)合膜層等。
2. 制備金屬膜、合金膜、半導(dǎo)體膜、陶瓷膜及介質(zhì)膜等，例：銀、鋁、 銅、鎳、鉻、鎳鉻合金、氧化鈦、氮化鈦、氮化鉻、ITO......
3. 兩靶單獨(dú)濺射、依次濺射、共同濺射。
5.應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 高校、科研院所的教學(xué)、科研實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實(shí)驗(yàn)及開發(fā)新產(chǎn)品等。
2. 鈣鈦礦太陽能電池、OLED、OPV 太陽能電池等行業(yè)。
薄膜均勻性概念：
1、厚度上的均勻性，也可以理解為粗糙度，在光學(xué)薄膜的尺度上看(也就是1/10波長作為單位，約為100A)，真空鍍膜的均勻性已經(jīng)相當(dāng)好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內(nèi)，也就是說對(duì)于薄膜的光學(xué)特性來說，真空鍍膜沒有任何障礙。 但是如果是指原子層尺度上的均勻度，也就是說要實(shí)現(xiàn)10A甚至1A的表面平整。
2、化學(xué)組分上的均勻性： 就是說在薄膜中，化合物的原子組分會(huì)由于尺度過小而很容易的產(chǎn)生不均勻特性，SiTiO3薄膜，如果鍍膜過程不科學(xué)，那么實(shí)際表面的組分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，鍍的膜并非是想要的膜的化學(xué)成分，這也是真空鍍膜的技術(shù)含量所在。
3、晶格有序度的均勻性： 這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問題。
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