單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng) 返回列表頁(yè)

CVD系統(tǒng)應(yīng)用：

CVD是化學(xué)氣相沉積的英文簡(jiǎn)寫(xiě)，本公司生產(chǎn)的單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)是利用管式爐加熱，把構(gòu)成固態(tài)沉積物的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入爐管內(nèi)，在爐管內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物的技術(shù)。

CVD系統(tǒng)分類(lèi)：

CVD技術(shù)常常通過(guò)反應(yīng)類(lèi)型或者壓力來(lái)分類(lèi)，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機(jī)物CVD(MOCVD)，根據(jù)金屬源的自特性來(lái)保證它的分類(lèi)，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導(dǎo)入容器之前必須先將它氣化。

CSK2-12DZ系列單溫區(qū)CVD系統(tǒng)組成：

CVD系統(tǒng)=管式爐+真空抽氣系統(tǒng)+多路供氣系統(tǒng)（或者液態(tài)蒸發(fā)系統(tǒng)）

CSK2-12DZ系列單溫區(qū)CVD系統(tǒng)配置選擇：

管式爐：

SK2-12DZ 管式真空氣氛爐，1200℃，管徑：50—200mm

真空抽氣系統(tǒng)：

LVSE-0.1低真空控制系統(tǒng)

HVSE高真空控制系統(tǒng)

多路供氣系統(tǒng)：

ZDS-X多路質(zhì)子流量計(jì)控制供氣系統(tǒng)

FDS-X多路浮子流量計(jì)控制供氣系統(tǒng)

PECVD系統(tǒng)：

PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜成分原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱(chēng)為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。

PECVD系統(tǒng)的中文名是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。是在CVD的基礎(chǔ)上加一個(gè)射頻電源，這個(gè)射頻電源通過(guò)感應(yīng)線圈使管式爐爐管內(nèi)氣體形成等離子體，等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，從而在基片上沉積出所期望的固態(tài)沉積物。PECVD具有比普通CVD沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高、沉積所需的溫度低等優(yōu)點(diǎn)。PECVD是由單溫區(qū)CVD管式爐系統(tǒng)再加一個(gè)PE500射頻電源、線圈組成。