PCL納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格膜片150nm-昊然 返回列表頁

PCL納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格膜片150nm-昊然

靜電紡絲技術(shù)是目前制備納米纖維重要的基本方法。這一技術(shù)的核心是使帶電荷的高分子溶液或熔體在靜電場中流動(dòng)并發(fā)生形變,然后經(jīng)溶劑蒸發(fā)或熔體冷卻而固化，于是得到纖維狀物質(zhì)，這一過程簡稱電紡。

PCL納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格膜片150nm-昊然

PCL納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格膜片150nm（厚度：600um）（孔數(shù)：6/12/24/48/96）（網(wǎng)格空隙：200um）

以可生物降解的聚己內(nèi)酯(PCL)為原料,以TFEA為溶劑,采用改進(jìn)的靜電紡絲(靜電紡紗)技術(shù)成功制備了PCL取向納米纖維紗線.研究了不同靜電紡紗工藝參數(shù)(溶液濃度,電壓,紡絲距離)對(duì)PCL納米纖維紗線的制備以及形態(tài)的影響.

多孔薄膜PLA納米纖維500nm（厚度：100/200/500）um或1cm

多孔薄膜PLA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PLGA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PLGA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PCL納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PCL納米纖維200nm（厚度：100/200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PLA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PLA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PLGA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PLGA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PCL納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構(gòu)薄膜PCL納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

PS納米纖維網(wǎng)格濾片150nm（厚度：600um）（直徑3/8cm）（網(wǎng)格空隙：200um）

PS納米纖維網(wǎng)格濾片300nm（厚度：1000um）（直徑3/8cm）（網(wǎng)格空隙：400um）

PS納米纖維薄膜網(wǎng)格濾片150nm（厚度：1cm）（網(wǎng)格空隙：200um）

PS納米纖維薄膜網(wǎng)格濾片300nm（厚度：1cm）（網(wǎng)格空隙：400um）

PS納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格濾片150nm（厚度：600um）（孔數(shù)：6/12/24/48/96）（網(wǎng)格空隙：200um）

溫馨提示：以上產(chǎn)品僅用于科研，不用于人體（ZN2021.07）