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石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S10,GFET-S10

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產(chǎn)品型號(hào)

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所  在  地西安市

更新時(shí)間:2023-12-06 11:46:15瀏覽次數(shù):159次

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石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S10,GFET-S10
GFET-S10芯片提供36個(gè)石墨烯器件,以網(wǎng)格模式分布在芯片上。30 個(gè)器件具有霍爾棒幾何形狀,6個(gè)器件具有2探頭幾何形狀。

石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S10,GFET-S10

中文名稱:石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S10(GFET-S10)

英文名稱:Graphene Field-Effect Transistor chip S10

cas號(hào):7440-44-0

芯片尺寸:10mm x10mm

芯片厚度 :675μm

每個(gè)芯片的GFET數(shù)量:36

柵氧化層厚度:90nm

柵極氧化物材料:SiO2

基體電阻率:1-10Ω.cm

Dirac點(diǎn):<50 V

良率:>75%

石墨烯場(chǎng)效應(yīng)遷移率:>1000cm2/V.

應(yīng)用:石墨烯器件研究,化學(xué)傳感器,生物傳感器,生物電子學(xué),磁傳感器,光電探測(cè)器。

保存條件:常溫干燥避光,密封保存

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石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片S10,GFET-S10

GFET-S10芯片提供36個(gè)石墨烯器件,以網(wǎng)格模式分布在芯片上。30 個(gè)器件具有霍爾棒幾何形狀,6個(gè)器件具有2探頭幾何形狀。霍爾棒器件可用于霍爾棒測(cè)量以及4探頭和2探頭設(shè)備。石墨烯通道尺寸各不相同,可以研究幾何形狀對(duì)器件特性的依賴性。


相關(guān)產(chǎn)品:

硒化錫晶體 SnSe2(Tin Selenide)

硒化鎵晶體 GaSe Crystal

硒化釩晶體 VSe2 Crystal

硒化鉿晶體 HfSe2 Crystal

紫磷晶體粉末 Violet Phosphorus powder

溴化鉻晶體 CrBr3 Crystal

硒化鉑晶體 PtSe2 Crystal


以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.6.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。

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