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所 在 地西安市
更新時(shí)間:2023-12-14 10:05:29瀏覽次數(shù):147次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 化工儀器網(wǎng)?V2NiSe4晶體,超導(dǎo)材料,拓?fù)浣^緣體
供貨周期 | 一周 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
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CuBi3PbS6晶體,拓?fù)浣^緣體
材料名稱:CuBi3PbS6晶體
性質(zhì)分類:拓?fù)浣^緣體
禁帶寬度:0.622eV
合成方法:CVT
剝離難易程度:中
CuBi3PbS6晶體,拓?fù)浣^緣體
CuBi3PbS6是一種由銅(Cu)、鉍(Bi)、鉛(Pb)和硫(S)元素組成的化合物,通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。
這種化合物可能屬于半導(dǎo)體材料的一種,其層狀結(jié)構(gòu)和化學(xué)組成可能導(dǎo)致其具有一些電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。對(duì)于CuBi3PbS6的研究可能涉及對(duì)其晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)特性以及其他物理特性的探索。
這類材料的研究對(duì)于半導(dǎo)體器件、光電傳感器和其他電子器件的發(fā)展可能具有一定的意義。然而,關(guān)于CuBi3PbS6晶體的詳細(xì)信息和其在實(shí)際應(yīng)用中的潛在價(jià)值,可能需要更深入的研究和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
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以上資料來(lái)自西安昊然生物小編JMY 2023.12.14.
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