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當(dāng)前位置：西安昊然生物科技有限公司>>昊然生物>>晶體>> GaGeTe晶體，拓撲絕緣體，半導(dǎo)體
| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地西安市
更新時間：2023-12-14 10:19:14瀏覽次數(shù)：203次
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| 供貨周期 | 一周 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
|---|
GaGeTe晶體，拓撲絕緣體，半導(dǎo)體
材料名稱：GaGeTe晶體
性質(zhì)分類：拓撲絕緣體，半導(dǎo)體，紅外材料，熱電材料
禁帶寬度：0.2 eV
合成方法：CVT
剝離難易程度：易
保存注意事項：晶體穩(wěn)定，不需要特殊保存
用途：僅用于科研，不能用于人體
研磨成粉體后測試XRD
GaGeTe晶體，拓撲絕緣體，半導(dǎo)體
GaGeTe是由鎵（Ga）、鍺（Ge）和碲（Te）元素組成的化合物。這種化合物可能具有半導(dǎo)體或者拓撲絕緣體的性質(zhì)，具體取決于其晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)成分和制備條件。
對于GaGeTe的研究可能涉及對其晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)以及可能的拓撲性質(zhì)的探索。拓撲絕緣體因其電子結(jié)構(gòu)和表面態(tài)而備受關(guān)注，這使得它們在量子計算和電子器件中具有一定的潛在應(yīng)用價值。
然而，關(guān)于GaGeTe晶體的詳細特性和潛在應(yīng)用的信息可能仍需要更多的研究和實驗來全面了解。這類新型材料的探索對于未來電子學(xué)、量子技術(shù)和新型器件的發(fā)展具有重要意義。
相關(guān)產(chǎn)品：
MoSe2 二硒化鉬晶體 (Molybdenum Diselenide)
GeSe 硒化鍺晶體 (Germanium Selenide)
GaSe 硒化鎵晶體 (Gallium Selenide)
p-type MoSe2 crystals P型二硒化鉬晶體
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PbGa2Se4 crystals 硒化鎵鉛晶體
以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.14.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。
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