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所 在 地西安市
更新時間:2023-12-18 09:52:26瀏覽次數(shù):163次
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In3SbTe2晶體,相變材料
材料名稱:In3SbTe2晶體
性質(zhì)分類:相變材料,金屬性層狀材料
合成方法:CVT
剝離難易程度:易
保存注意事項:晶體穩(wěn)定,不需要特殊保存
In3SbTe2晶體,相變材料
In3SbTe2是由銦(In)、銻(Sb)和碲(Te)元素組成的化合物,屬于銦銻碲族化合物。
這種化合物可能具有層狀的結(jié)構(gòu),并且可能顯示出電學(xué)、熱學(xué)或者光學(xué)性質(zhì)。在某些情況下,這種化合物被研究用于相變存儲器件等應(yīng)用,因其具有可調(diào)控的相變特性,有望應(yīng)用于信息存儲技術(shù)。
關(guān)于In3SbTe2晶體的具體研究和特性,包括其晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)以及在相變存儲器件等領(lǐng)域的應(yīng)用,可能需要更多的實驗和深入的科學(xué)研究,以全面了解其性質(zhì)和潛在應(yīng)用。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.18.
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