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所 在 地西安市
更新時間:2023-12-18 10:01:14瀏覽次數(shù):195次
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InSb晶體,拓撲絕緣體
材料名稱:InSb晶體
性質(zhì)分類:拓撲絕緣體
合成方法:CVT
剝離難易程度:難
存儲:4℃冷藏、密封、避光
用途:僅用于科研,不能用于人體
InSb晶體,拓撲絕緣體
InSb是一種重要的半導體材料,由銦(In)和銻(Sb)元素組成。它擁有銻化銦的晶體結(jié)構(gòu),屬于III-V族化合物半導體。InSb在電子學和光電子學領(lǐng)域有著廣泛的應用。
由于其優(yōu)良的電子傳輸性能和熱導率,InSb被用于制造紅外探測器和熱成像設(shè)備。其在高頻率電子器件和低溫電子學領(lǐng)域也有一定的應用,因為它在低溫下表現(xiàn)出良好的電子遷移率。
此外,InSb也被用于研究量子效應和量子結(jié)構(gòu),因為其電子運動受量子效應影響。這些特性使得InSb成為了研究量子力學和納米電子學的重要材料之一。
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.18.
以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體及其他用途。
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