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SnBi4Te7晶體，拓?fù)浣^緣體，紅外半導(dǎo)體

中文名稱：SnBi4Te7晶體

性質(zhì)分類：拓?fù)浣^緣體，紅外半導(dǎo)體

禁帶寬度：0.632eV

合成方法：CVT

剝離難易程度：中

存儲：4℃冷藏、密封、避光

保存時(shí)間：1年

規(guī)格：mg

包裝：瓶裝/袋裝

用途：僅用于科研，不能用于人體

西安吳然生物供應(yīng)紫磷晶體，黑磷晶體，碲化鋯晶體，硒化鈀晶體，黑磷-砷晶體，硒化銦晶體，硒化錸晶體，硒化鉭晶體等等產(chǎn)品。

SnBi4Te7晶體，拓?fù)浣^緣體，紅外半導(dǎo)體

SnBi4Te7是一種含錫（Sn）、鉍（Bi）和碲（Te）的化合物，屬于拓?fù)浣^緣體材料家族。它具有復(fù)雜的層狀結(jié)構(gòu)，其中錫、鉍和碲原子排列形成層狀結(jié)構(gòu)。

這種材料因其電子結(jié)構(gòu)和拓?fù)湫再|(zhì)而備受關(guān)注。它具有表面態(tài)和邊緣態(tài)上的拓?fù)浔Ｗo(hù)特性，這使得它在拓?fù)潆娮訉W(xué)和量子信息領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用。

拓?fù)浣^緣體如SnBi4Te7等材料在表面態(tài)上表現(xiàn)出非常有趣的電子行為，這些性質(zhì)使得它們在量子計(jì)算和量子信息處理中有著潛在的應(yīng)用前景。因?yàn)樗鼈兊谋砻鎽B(tài)能夠保護(hù)量子比特，使得其對外部擾動不敏感。

相關(guān)產(chǎn)品：

二硒化鎢晶體 WSe2

二碲化鎢晶體 WTe2

硫化錸晶體 ReS2 Crystal

硫化鈦晶體 TiS2 Crystal

硫化錫晶體 SnS2 Crystal

硒化鉍晶體 Bi2Se3

硫化鎵晶體 GaS Crystal

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白云母晶體 Muscovite(K2O.Al2O3.SiO2)

二硫化鎢晶體 2H-WS2 （Tungsten Disulfide）

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黑磷晶體粉末 Black Phosphorus powder

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1T-硫化鉭晶體 1T-TaS2 (Tantalum Sulfide)

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.21.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。