薄膜、六方氮化硼薄膜 返回列表頁(yè)

薄膜、六方氮化硼薄膜

【基本信息】

中文名稱(chēng)：六方氮化硼薄膜

基底：銅基底、PET基底、藍(lán)寶石基底、石英基底、SiO2/Si基底

純度：99.9%

存儲(chǔ)：-20℃冷藏、密封、避光

保存時(shí)間：1年

用途：僅用于科研，不能用于人體

薄膜、六方氮化硼薄膜

【詳情描述】

六方氮化硼（h-BN，也稱(chēng)為白色石墨烯）薄膜是由氮和硼元素組成的材料，具有六方晶格結(jié)構(gòu)。

六方晶格：h-BN的晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)似于石墨烯，呈六方晶格。這種結(jié)構(gòu)使其在二維平面上表現(xiàn)出一些性質(zhì)。

絕緣體性質(zhì)：六方氮化硼是一種絕緣體，其電學(xué)性質(zhì)類(lèi)似于石墨烯。這意味著在其平面上，電子的運(yùn)動(dòng)受到限制，表現(xiàn)為絕緣特性。

熱穩(wěn)定性：h-BN具有良好的熱穩(wěn)定性，使其在高溫環(huán)境下具有應(yīng)用潛力。

應(yīng)用：

涂層和保護(hù)膜：六方氮化硼薄膜可用作表面涂層和保護(hù)膜，提供對(duì)化學(xué)腐蝕和高溫環(huán)境的保護(hù)。

二維材料研究：由于其二維結(jié)構(gòu)，h-BN薄膜在二維材料研究領(lǐng)域中與其他二維材料（如石墨烯、二硒化硒等）一起被廣泛研究。

制備方法：

化學(xué)氣相沉積（CVD）：CVD是一種常用的方法，通過(guò)將氣體前體沉積在基底表面來(lái)制備六方氮化硼薄膜。這種方法可以提供可控的薄膜厚度和質(zhì)量。

六方氮化硼薄膜在納米科技、電子學(xué)和材料科學(xué)中具有廣泛的研究和應(yīng)用前景。

【推薦產(chǎn)品】

藍(lán)寶石基底Sb2Te3薄膜  

SiO2/Si 基底Sb2Te3薄膜  

石英基底Sb2Te3薄膜

藍(lán)寶石基底Bi2Te3薄膜

CVD藍(lán)寶石基底Bi2Se3連續(xù)膜

孤立晶粒Bi2Se3薄膜

藍(lán)寶石基底二硫化錫薄膜(SnS2)

以上資料來(lái)自西安昊然生物小編JMY 2024.1.31.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。