InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 兩級(jí)TE冷卻 1.7-5.8um 參考價(jià):面議
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 兩級(jí)TE冷卻 1.7-5.8um 產(chǎn)品應(yīng)用● 中紅外激光探測(cè)● 中紅外氣體分析II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器 參考價(jià):面議
II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70是一種具有優(yōu)良參數(shù)的II型超晶格三級(jí)熱電冷卻紅...InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 非制冷 參考價(jià):面議
InAs/InAsSb T2SL 光伏探測(cè)器 非制冷 PVAS-5-0.1 0.1-TO39-NW-90是II型超晶格非冷卻紅外光電探測(cè)器,具有優(yōu)良的參數(shù)。該探...II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器 1.6-11um TO8 參考價(jià):面議
II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器1.6-11um TO8PCAS-2TE-9-0.1X0.1-TO8-wZnSeAR-70是一種具有優(yōu)良參數(shù)的II型超晶格...砷化銦 InAs光伏探測(cè)器 3.35um 參考價(jià):面議
砷化銦 InAs光伏探測(cè)器 3.35um產(chǎn)品應(yīng)用: 氣體分析 激光探測(cè)紅外分光光度測(cè)量輻射溫度計(jì)高功率偏振依賴自由空間隔離器 461/689/813nm (旋轉(zhuǎn)器/旋光器) 參考價(jià):面議
高功率偏振依賴自由空間隔離器 461/689/813nm (旋轉(zhuǎn)器/旋光器)筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司是一家被上海市評(píng)為高新技術(shù)企業(yè)的專業(yè)光學(xué)服務(wù)公司,業(yè)務(wù)涵...145GHz光電探測(cè)器模塊(保偏光纖) 參考價(jià):面議
145GHz光電探測(cè)器模塊(保偏光纖) 應(yīng)用?數(shù)據(jù)通信?電信?測(cè)試測(cè)量?微波光子學(xué)硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 參考價(jià):面議
硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低...145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖) 參考價(jià):面議
145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖) 產(chǎn)品總覽該產(chǎn)品是為數(shù)據(jù)通信( 1T/bs PAM),電信和微波光子應(yīng)用而研發(fā)的145GHz超快光電探測(cè)器模塊。硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm 參考價(jià):面議
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nmAPD 是具有通過(guò)施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (S...1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 參考價(jià):面議
1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)器件是N型硅象限探測(cè)器,當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí),...1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 參考價(jià):面議
1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)產(chǎn)品應(yīng)用● 激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測(cè)量...硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 參考價(jià):面議
硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm...905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑:0.23mm TO46) 參考價(jià):面議
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑:0.23mm TO46)硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外,峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm...硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46) 參考價(jià):面議
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.5mm TO46)硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外,峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905...硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46) 參考價(jià):面議
硅Si雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.8mm TO46)硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外,峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm...硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm 光敏面直徑0.23mm LCC3) 參考價(jià):面議
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm(400-1100nm 光敏面直徑0.23mm LCC3)硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外,峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905...硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3) 參考價(jià):面議
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm(400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3)硅雪崩光電二極管,光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外,峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm...2mm SI光電探測(cè)器 (二極管) 參考價(jià):面議
2mm SI光電探測(cè)器 (二極管)光纖通信、傳感、測(cè)距可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè)快速光脈沖檢測(cè)各種工業(yè)控制系統(tǒng)。超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm 參考價(jià):面議
超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm器件為硅PIN 光電二極管,在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm...法蘭式SI光電探測(cè)器 光敏面積200um 二極管 參考價(jià):面議
法蘭式SI光電探測(cè)器 光敏面積200um 應(yīng)用領(lǐng)域:光纖通信、傳感、測(cè)距可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè)快速光脈沖檢測(cè)各種工業(yè)控制系統(tǒng)。SI光電探測(cè)器 光敏面積4mm(二極管) 參考價(jià):面議
SI光電探測(cè)器 光敏面積4mm(二極管)應(yīng)用領(lǐng)域:光纖通信、傳感、測(cè)距可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè)快速光脈沖檢測(cè)各種工業(yè)控制系統(tǒng)。6mm大光敏面硅(Si)光電探測(cè)器 參考價(jià):面議
6mm大光敏面硅(Si)光電探測(cè)器產(chǎn)品總覽器件為硅PIN 光電二極管,在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100n...8mm大光敏面(Si)硅光電探測(cè)器 參考價(jià):面議
8mm大光敏面(Si)硅光電探測(cè)器 應(yīng)用領(lǐng)域:光纖通信、傳感、測(cè)距可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè)快速光脈沖檢測(cè)各種工業(yè)控制系統(tǒng)。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)