3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe 參考價：面議
3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTePV系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。...
2 - 13 μm , MCT 中紅外HgCdTe非冷卻多結(jié)光伏探測器 PVM系列 參考價：面議
2 - 13 μm , MCT 中紅外HgCdTe非冷卻多結(jié)光伏探測器 PVM系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外多結(jié)光伏探測器，具有好的性能和穩(wěn)定...
InGaAsPD/APD-TIA光電模塊 參考價：面議
InGaAsPD/APD-TIA光電模塊特點：● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps● 高靈敏度● 工作波長范圍：1260~1650nm●...
InGaAs雪崩光電探測器 參考價：面議
InGaAs雪崩光電探測器 800-1700nm 100*100*25mm 響應(yīng)度 9A/W具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點。
16mm四象限Si光電探測器SIQ1600 參考價：面議
16mm四象限Si光電探測器SIQ1600：器件是N型硅象限探測器，當(dāng)光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時，則各個象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時，由于...
APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊GD4516YB 參考價：面議
APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊GD4516YB其采用 InGaAs 四象限 APD芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 ...
2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測器 參考價：面議
2.0– 12.0 µm小型化MCT光伏型中紅外探測器是非制冷光伏探測器，基于HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)，集成跨阻、直流耦合前置放大器。它能夠在空間有限的長...
光電二極管放大器混合器 參考價：面議
混合系列光電二極管探測器放大器 Photop™系列 350nm-1100nm/200nm-1100nm采用集成封裝，確保在各種工作條件下的低噪聲輸出...
數(shù)字集成光電二極管1 kHz 參考價：面議
數(shù)字集成光電二極管1 kHz , WL-IPD4B通用串行總線接口為虛擬串行端口(VCP)，以便直接輕松地集成到實驗室控制軟件(如LabView)中。通信使用基...
直流耦合 200 MHz InGaAs 低噪聲光電探測器 參考價：面議
InGaAs差分光點低噪聲光電探測器 WL-DPD200MA（200 MHz）是InGaAs的一款直流耦合高速差分 (“雙平衡")光接收器。它具有高跨阻增益、低...
四級熱電冷卻紅外光電探測器 參考價：面議
2-12μm 中紅外MCT 四級熱電冷卻紅外光電探測器 PV-4TE系列具有好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt時達(dá)到最佳性能。起始波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏...
2-12μm中紅外非冷卻多結(jié)光伏MCT象限探測器 參考價：面議
2-12μm中紅外非冷卻多結(jié)光伏MCT象限探測器 PVMQ：是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外多結(jié)光伏象限探測器，具有好的性能和穩(wěn)定性。象限探測器由四...
1-12μm中紅外非冷卻光導(dǎo)型MCT象限探測器 參考價：面議
1-12μm中紅外非冷卻光導(dǎo)型MCT象限探測器PCQ應(yīng)在最佳偏置電壓和電流讀出模式下工作，由于1/f噪聲，探測器在低頻率下的性能會降低。PCQ探測器的主要應(yīng)用是...
2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光伏探測器 參考價：面議
2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光伏探測器 PVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的兩級TE冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫...
2-12μmMCT 光浸式紅外非冷卻光電磁探測器 參考價：面議
光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm處探測性能最佳，是一款特別適用于探測連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測器。這款探測...
3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 參考價：面議
3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時達(dá)到好性能。波長分割可根據(jù)需求進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應(yīng)...
中紅外非制冷光電探測器 參考價：面議
2.5-6.5μm MCT碲鎘汞 中紅外非制冷光電探測器 PVI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測器，采用光學(xué)浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其...
紅外兩級TE冷卻InAs光浸式光伏探測器 參考價：面議
2-5.5μm紅外兩級TE冷卻InAs光浸式光伏探測器 PVIA-2TE系列具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。帶有...
2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器 參考價：面議
2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器 PVIA系列具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。
1-12μm MCT非冷卻光電導(dǎo)探測器 PC系列 參考價：面議
1-12μm MCT非冷卻光電導(dǎo)探測器 PC系列是基于復(fù)雜MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測器，具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λopt時達(dá)到最佳性能。設(shè)備應(yīng)該在...
中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導(dǎo)探測器 參考價：面議
1-12μm中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導(dǎo)探測器 PCI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測器，通過光學(xué)浸沒來改善器件的參數(shù)，具有好的性能和穩(wěn)...
2-12μmMCT紅外非冷卻光電磁探測器PEM系列 參考價：面議
2-12μmMCT紅外非冷卻光電磁探測器PEM系列器件在10.6 μm處探測性能好，是一款特別適用于探測連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測器。這款探測器被安裝在...
紅外非冷卻InAs光伏探測器 2.15-3.5μm 參考價：面議
紅外非冷卻InAs光伏探測器 2.15-3.5μm PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及...
MCT 中紅外非冷卻光浸式多結(jié)光伏探測器 參考價：面議
2-12μm ,MCT 中紅外非冷卻光浸式多結(jié)光伏探測器PVMI系列采用光學(xué)浸沒的方式改善器件的參數(shù)，以達(dá)到好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt入射時性能好。這是...(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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