SAL-3000 ALD原子層沉積系統(tǒng)SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設備，該設備最多可搭載6路前驅(qū)體，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材...

PE-CVD解決方案與典型CVD反應器相比，等離子體增強型化學氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案，同時不會降低薄膜質(zhì)量。...

系統(tǒng)中的PECVD可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學薄膜等。標準配置射頻(RF)，可選用空陰密度等離子體(HCD)源、感應...

PICOSUN擁有30多年在芬蘭ALD反應器制造而得到的專業(yè)技術。Tuomo Suntola博士，于1974年發(fā)明了ALD技術，是PICOSUN董事會的成員。我...

NLD-3500（A）全自動原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉...

1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積)；2.PEALD (等離子增強原子層沉積)；3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積)；儀器簡介：原子層沉積（Atom...

基質(zhì)輔助脈沖激光蒸發(fā)(MAPLE)是PLD的一種變體。這是由NRL集團新引入的技術，以促進某些功能有機材料的薄膜沉積?；赨V (5-6 eV)的傳統(tǒng)PLD技術...

激光分子束外延(Laser MBE)是上個世紀90年代發(fā)展起來的一種新型高精密制膜技術，它集PLD的制膜特點和傳統(tǒng)MBE的超高真空精確控制原子尺度外延生長的原位...

NSC-3000（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)概述：帶有水冷或者加熱(可加熱到700度)功能，到6旋轉平臺，可支持到3個偏軸平面磁控管。

美國Four Dimensions,Inc, 簡稱“4D"，成立于1978年，位于美國加州硅谷的Hayward, 4D公司專注于四探針設備和CV儀的生產(chǎn)和銷售，...

美國Creative Design Engineering, 簡稱“CDE"，成立于1995年，位于美國加州硅谷的庫比蒂諾 - Cupertino, CDE公司...

技術參數(shù)：l 自動的換氣與泄氣功能，可以得到一致的膜厚，和的導電噴鍍效果。l 通過高效低壓直流磁控頭進行冷態(tài)精細的噴鍍過程，避免樣品表面受損。

Leica EM ACE600是優(yōu)良的多用途高真空薄膜沉積系統(tǒng)，設計來根據(jù)您的FE-SEM和TEM應用的需要生產(chǎn)非常薄的，細粒度的和導電的金屬和碳涂層，用于高分...

電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導體器件制作中的一種重要工藝技術；它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜。