Qorvo-UnitedSiC UF3C065080B3 技術(shù)參數(shù)

時(shí)間：2024/7/4閱讀：116

Qorvo的UF3C065080B3 650 V，80 mohm RDS（on）SiC FET器件基于的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi)SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，以產(chǎn)生常關(guān)SiC FET設(shè)備。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換Si IGBT、Si超結(jié)器件或SiC MOSFET時(shí)需要最少的重新設(shè)計(jì)。該器件采用D2PAK-3L封裝，具有超低柵極電荷和的反向恢復(fù)特性，非常適合與推薦的RC緩沖器一起使用時(shí)切換電感負(fù)載，以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。Qorvo的CMD177C3是一款無(wú)引線表面安裝封裝的通用雙平衡混頻器，可用于6至14 GHz之間的上變頻和下變頻應(yīng)用。CMD177C3混頻器MMIC由于優(yōu)化的巴倫結(jié)構(gòu)，對(duì)RF和IF端口都具有非常高的隔離度，并且可以在低至+9dBm的LO驅(qū)動(dòng)電平下工作。CMD177C3可以很容易地配置為具有外部混合器和功率分配器的圖像抑制混頻器或單邊帶調(diào)制器。Qorvo的CMD182C4是一款緊湊型GaAs RF/微波I/Q混頻器MMIC，采用無(wú)引線表面安裝（SMT）封裝，可用作圖像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD182C4 I/Q混頻器MMIC采用兩個(gè)雙平衡混頻器單元和一個(gè)90度混頻器。需要一個(gè)外部IF混頻器來(lái)完成圖像抑制。CMD182C4 MMIC混頻器是混合鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的更小、成本更低的替代品。

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