您好, 歡迎來(lái)到化工儀器網(wǎng)

| 注冊(cè)| 產(chǎn)品展廳| 收藏該商鋪

13808866455

products

目錄:廣州金程科學(xué)儀器有限公司>>等離子表面處理儀>>等離子刻蝕機(jī)>> RIE200plusRIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)

RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
  • RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 CIF
  • 型號(hào) RIE200plus
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 廣州市
屬性

$NV_PropertyInfoName.SubString(0,25)

>

更新時(shí)間:2024-10-29 09:19:28瀏覽次數(shù):492評(píng)價(jià)

聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!

同類優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品

更多產(chǎn)品
產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,冶金,航天,電氣,綜合
廣州金程科學(xué)儀器公司供應(yīng)的RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特 別適合于大學(xué)、科研院所,微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及 復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行 RIE反應(yīng)離子刻蝕。

廣州金程科學(xué)儀器公司供應(yīng)的RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特 別適合于大學(xué)、科研院所,微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及 復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行 RIE反應(yīng)離子刻蝕。具體包括:

◆ 介 電 材 料 (SiO2、SiNx等)

◆ 硅基材料 (Si,a-Si,poly Si)

◆III-V材料 (GaAs、InP、GaN 等)

◆ 濺射金屬 (Au、Pt、Ti、Ta、W等)

◆ 類金剛石 (DLC)

 

等離子刻蝕機(jī)原理

等離子蝕刻,也稱為干法蝕刻,等離子刻蝕機(jī) 是一種利用等離子體對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕加工的 設(shè)備,是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不ke或缺的設(shè)備之一。 利用等離子體作為蝕刻介質(zhì),通過(guò)控制射頻功率、 氣體流量、壓力、蝕刻氣體種類、處理時(shí)間、平臺(tái) 溫度等工藝參數(shù),選擇性地移除沉積層特定部分的 材料,將圖案蝕刻到基材上的過(guò)程。

 

應(yīng)用領(lǐng)域:主要用于微電子芯片、太陽(yáng)能電池、生物芯片、顯示器、光學(xué)、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

 

儀器特點(diǎn):

◆ 7寸彩色觸摸屏中英文互動(dòng)操作界面,自動(dòng)控制監(jiān)測(cè)工藝參數(shù)狀態(tài),20個(gè)配方程序,工藝數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)追溯。

◆ PLC 工控機(jī)控制整個(gè)清洗過(guò)程,手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式。

◆ 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì),耐腐蝕無(wú)污染。

◆ 采用防腐數(shù)字流量計(jì),實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng),可選多氣路氣體輸送系統(tǒng),可輸入氧氣、氬氣、 氮?dú)狻⑺姆?、氫氣或混合氣等氣體。

◆ 采用花灑式多孔進(jìn)氣方式,改變單孔進(jìn)氣不均勻問(wèn)題。

◆  HEPA 高效過(guò)濾,氣體返填吹掃,防止二次污染。

◆ 符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計(jì),操作方便,界面友好。

◆ 采用頂置真空艙,上開(kāi)蓋設(shè)計(jì),下壓式鉸鏈開(kāi)關(guān)方式。

◆ 上置式360度水平取放樣品設(shè)計(jì),符合人體功能學(xué),操作更方便。

◆ 有效處理面積大,可處理最大直徑154mm  晶元硅片。

◆ 安全保護(hù),艙門打開(kāi),自動(dòng)關(guān)閉電源,機(jī)器運(yùn)行、停止提示。

 

 

RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)


技術(shù)參數(shù)


型號(hào)

RIE200

RIE200plus

艙體內(nèi)尺寸

H38xφ260mm

H38xφ260mm

艙體容積

2L

2L

射頻電源

40KHz

13.56MHz

電極

不銹鋼氣浴RIE電極,φ200mm

不銹鋼氣浴RIE電極,φ200mm

匹配器

自動(dòng)匹配

自動(dòng)匹配

刻蝕方式

RIE

RIE

射頻功率

0-600W可調(diào)(可選0-1000W)

0-300W可調(diào)(可選0-600W)

氣體控制

質(zhì)量流量計(jì)(MFC)  (標(biāo)配雙路,可選多路)流量范圍0-500SCCM(可調(diào))

工藝氣體

Ar、N? 、O? 、H? 、CF4、CF4+H2、CHF3或其他混合氣體等(可選)

最大處理尺寸

φ154mm

產(chǎn)品尺寸

L520xW600xH420mm

包裝尺寸

L700xW580xH490mm

時(shí)間設(shè)定

9999秒

真空泵

抽速約8m3/h

氣體穩(wěn)定時(shí)間

1分鐘

極限真空

≤1Pa

電源

AC220V 50-60Hz,802(1202)502(802)W所有配線符合《低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設(shè)計(jì)規(guī)范》等國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。

整機(jī)重量

38kg

 

備注: 可選:1、冷卻循環(huán)水器:溫度控制范圍-20-100℃;2、分子泵:分子泵抽速85L/s(N2)  極 限 真 空 :LF<8*10-

6Pa,CF<8*10-7Pa。

 

 

RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)信息由廣州金程科學(xué)儀器有限公司為您提供。

 

 

 


會(huì)員登錄

請(qǐng)輸入賬號(hào)

請(qǐng)輸入密碼

=

請(qǐng)輸驗(yàn)證碼

收藏該商鋪

標(biāo)簽:
保存成功

(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)

常用:

提示

您的留言已提交成功!我們將在第一時(shí)間回復(fù)您~
在線留言

會(huì)員登錄

請(qǐng)輸入賬號(hào)

請(qǐng)輸入密碼

=

請(qǐng)輸驗(yàn)證碼

收藏該商鋪

該信息已收藏!
標(biāo)簽:
保存成功

(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)

常用:
熱線電話 在線詢價(jià)