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FIB-SEM-TOF-SIMS

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更新時(shí)間:2022-10-23 15:03:54瀏覽次數(shù):1006

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產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 面議
儀器種類 聚焦離子束 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,化工,能源,電子
FIB-SEM-TOF-SIMS電子顯微分析是材料和生命科學(xué)微觀分析中最 重要的一環(huán),而元素分析是其中最重要的表征手段 之一,但標(biāo)準(zhǔn)的分析手段如能譜儀和波譜儀存在因 靈敏度不足、空間分辨率較差,無法進(jìn)行輕元素、 微量元素的分析,無法分辨同位素等等問題,已不 能滿足應(yīng)用發(fā)展的需求。

詳細(xì)介紹

FIB-SEM-TOF-SIMS電子顯微分析是材料和生命科學(xué)微觀分析中最 重要的一環(huán),而元素分析是其中最重要的表征手段 之一,但標(biāo)準(zhǔn)的分析手段如能譜儀和波譜儀存在因 靈敏度不足、空間分辨率較差,無法進(jìn)行輕元素、 微量元素的分析,無法分辨同位素等等問題,已不 能滿足應(yīng)用發(fā)展的需求。

       FIB-SEM-TOF-SIMS提供的解決方案是將飛行時(shí)間二次離 子質(zhì)譜與FIB-SEM系統(tǒng)集成。這種組合能夠?yàn)橛?戶提供固體材料的3D化學(xué)表征和分子信息,高離 子質(zhì)量分辨率和高空間分辨率成像等,并可以進(jìn)行 原位FIB深度分析。

       飛行時(shí)間-二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS)

       TOF-SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)是具有高分辨率的質(zhì)譜儀。 工作原理是用聚焦離子束照射樣品表面,從而在樣 品最上層的原子層激發(fā)出二次離子(SI),再根據(jù) 不同質(zhì)量的二次離子飛行到探測(cè)器的時(shí)間不同來測(cè) 定離子質(zhì)量。

       與EDX相比,TOF-SIMS可以實(shí)現(xiàn)更好的橫向 和縱向分辨率,還可以識(shí)別并定量樣品表面層中存 在的元素和分子物質(zhì),以及具有類似標(biāo)稱質(zhì)量的同 位素和其他物質(zhì)等。

       具有超高靈敏度,可檢測(cè)從H開始的任意元 素,檢出限達(dá)ppm量級(jí)

•  優(yōu)異的空間分辨率,橫向分辨率< 40 nm, 縱向分辨率< 3 nm

•  正負(fù)離子均可檢測(cè),離子質(zhì)量分辨率>800

•  2D和3D的快速、高離子質(zhì)量分辨率和高 空間分辨率成像,可進(jìn)行原位FIB深度剖析

•  通過精密控制的坐標(biāo)轉(zhuǎn)移,保證不同儀器分 析位置的重合

•  TESCAN所有型號(hào)的FIB-SEM均可配置 TOF-SIMS 系統(tǒng)


1.輕元素及微量元素分析:Li離子電池中LI+面分布分析。

2.通過低電壓和小束流FIB逐層減薄,成功區(qū)分出厚度為2.5 nm的摻有0-15% 的In元素的GaN層。

3.金屬復(fù)合材料中微量元素的晶界偏析測(cè)定,檢出限可達(dá)ppm級(jí)。

4.對(duì)鈾礦石進(jìn)行初期的同位素分析,快速得到238U和235U的分布信息。


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