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在半導體制造中，光刻膠用于光刻工藝中以在基板上形成電路圖案。制造過程主要包括以下步驟。
①清洗
涂敷光刻膠前，應che底清洗基材，保持表面清潔。
②光刻膠的涂敷
將光刻膠均勻地涂敷在基材上并干燥。此階段光刻膠的厚度和均勻性對后續(xù)圖形形成的精度有很大的影響。
③曝光 用紫外線照射光刻膠，在光刻膠上形成圖案。
發(fā)射光的波長和強度直接影響圖案的分辨率。
④顯影用顯影劑
對曝光后的光刻膠進行處理，除去不需要的部分。這使得設計的圖案出現(xiàn)在板上。
⑤蝕刻
顯影后，以光刻膠圖案為掩模，通過蝕刻去除基板上不需要的部分。
⑥去除光刻膠
最后，蝕刻完成后，去除光刻膠，進入下一步。
