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紫外光深入?yún)⑴c了半導體制造過程中光刻膠的曝光步驟。曝光工藝是將光刻膠曝光并將設計的圖案轉移到基板上的重要步驟。紫外線改變光刻膠的分子結構并改變曝光區(qū)域的溶解度,形成電路圖案。用于曝光的紫外線有多種波長,但常用的是以下類型:
i 線 (365 nm):當不需要非常精細的圖案時使用。
KrF 線 (248 nm):適合需要高分辨率的情況。
ArF 線 (193 nm):需要更高分辨率時使用。
極紫外光(13.5 納米):采用jian端微加工技術,實現(xiàn)ji高的分辨率
紫外線的波長越短,可以形成的圖案分辨率越高。