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IMAXF8-MOIP1000P光隔離探頭
  • IMAXF8-MOIP1000P光隔離探頭
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貨物所在地:廣東深圳市

地: 深圳

更新時(shí)間:2023-11-24 15:41:31

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MOIP1000P光隔離探頭是基于SigOFIT技術(shù)的光隔離探頭,擁有的共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號(hào)的全部真相,是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性。此外,SigOFIT光隔離探頭采用先進(jìn)的激光供電技術(shù),解決了隔離供電的問題。

image.png

MOIP1000P光隔離探頭


真實(shí)的信號(hào)呈現(xiàn)

SigOFIT光隔離探頭具有的共模抑制比,在100MHz時(shí)CMRR高達(dá)128dB、在1GHz時(shí)CMRR仍然高達(dá)108dB,是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。


測(cè)試精度與穩(wěn)定性

作為判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性,測(cè)試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標(biāo)。麥科信光隔離探頭,具有較佳的幅頻特性,直流增益精度優(yōu)于1%,底噪小于0.45mVrms,預(yù)熱5min后零點(diǎn)漂移小于0.1%,增益漂移小于1%。


第三代半導(dǎo)體的理想測(cè)試手段

由于導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間很短,信號(hào)具有更快的上升沿和下降沿,信號(hào)中具有很高能量的高頻諧波,SigOFIT的MOIP1000P光隔離探頭在高帶寬時(shí),仍然具有超100dB的共模抑制比,可以地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩,所呈現(xiàn)的信號(hào)沒有額外多余成分,是第三代半導(dǎo)體測(cè)試的理想選擇。


測(cè)試氮化鎵(GaN)不炸管

SigOFIT光隔離探頭測(cè)試引線短且采用同軸傳輸,探頭輸入電容小于2.5pF,測(cè)試氮化鎵(GaN)十分安全。


測(cè)試量程更寬

不同于高壓差分探頭只可以測(cè)試高壓信號(hào),SigOFIT 光隔離探頭,通過匹配不同的衰減器,可以測(cè)試 ±1.25V 至 ±2500V 的差模信號(hào),并實(shí)現(xiàn)滿量程輸出,達(dá)到很高的信噪比。10X / 20X / 50X / 500X / 1000X / 2000X


image.png


產(chǎn)品參數(shù)

型號(hào)

MOIP100P

MOIP200P

MOIP350P

MOIP500P

MOIP800P

MOIP1000P

帶寬

100MHz

200MHz

350MHz

500MHz

800MHz

1GHz

上升時(shí)間

3.5ns

1.75ns

1ns

700ps

438ps

350ps

SMA 輸入阻抗

1MΩ || 10pF

1MΩ || 10pF

1MΩ || 10pF

1MΩ || 10pF

1MΩ || 10pF

1MΩ || 10pF

輸出電壓

±2.5V

±2.5V

±1.25V

±1.25V

±1.25V

±1.25V

測(cè)試電壓

1X:±2.5V

10X:±25V

20X:±50V

500X:±1250V

1000X:±2500V

1X:±1.25V

20X:±25V

50X ±62.5V

1000X:±1250V

2000X:±2500V

供電

Type-C 接口,DC5V

傳輸延遲

15.42ns(光纖長度 2 米)

直流增益精度

1%

共模電壓

60kVpk

光纖長度

2 米(光纖長度可定制)

底噪

<1.41mVrms







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