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MOIP1000P光隔離探頭
真實(shí)的信號(hào)呈現(xiàn)
SigOFIT光隔離探頭具有的共模抑制比,在100MHz時(shí)CMRR高達(dá)128dB、在1GHz時(shí)CMRR仍然高達(dá)108dB,是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。
測(cè)試精度與穩(wěn)定性
作為判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性,測(cè)試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標(biāo)。麥科信光隔離探頭,具有較佳的幅頻特性,直流增益精度優(yōu)于1%,底噪小于0.45mVrms,預(yù)熱5min后零點(diǎn)漂移小于0.1%,增益漂移小于1%。
第三代半導(dǎo)體的理想測(cè)試手段
由于導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間很短,信號(hào)具有更快的上升沿和下降沿,信號(hào)中具有很高能量的高頻諧波,SigOFIT的MOIP1000P光隔離探頭在高帶寬時(shí),仍然具有超100dB的共模抑制比,可以地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩,所呈現(xiàn)的信號(hào)沒有額外多余成分,是第三代半導(dǎo)體測(cè)試的理想選擇。
測(cè)試氮化鎵(GaN)不炸管
SigOFIT光隔離探頭測(cè)試引線短且采用同軸傳輸,探頭輸入電容小于2.5pF,測(cè)試氮化鎵(GaN)十分安全。
測(cè)試量程更寬
不同于高壓差分探頭只可以測(cè)試高壓信號(hào),SigOFIT 光隔離探頭,通過匹配不同的衰減器,可以測(cè)試 ±1.25V 至 ±2500V 的差模信號(hào),并實(shí)現(xiàn)滿量程輸出,達(dá)到很高的信噪比。10X / 20X / 50X / 500X / 1000X / 2000X
產(chǎn)品參數(shù)
型號(hào) | MOIP100P | MOIP200P | MOIP350P | MOIP500P | MOIP800P | MOIP1000P |
帶寬 | 100MHz | 200MHz | 350MHz | 500MHz | 800MHz | 1GHz |
上升時(shí)間 | ≤3.5ns | ≤1.75ns | ≤1ns | ≤700ps | ≤438ps | ≤350ps |
SMA 輸入阻抗 | 1MΩ || 10pF | 1MΩ || 10pF | 1MΩ || 10pF | 1MΩ || 10pF | 1MΩ || 10pF | 1MΩ || 10pF |
輸出電壓 | ±2.5V | ±2.5V | ±1.25V | ±1.25V | ±1.25V | ±1.25V |
測(cè)試電壓 | 1X:±2.5V 10X:±25V 20X:±50V 500X:±1250V 1000X:±2500V | 1X:±1.25V 20X:±25V 50X: ±62.5V 1000X:±1250V 2000X:±2500V | ||||
供電 | Type-C 接口,DC:5V | |||||
傳輸延遲 | 15.42ns(光纖長度 2 米) | |||||
直流增益精度 | 1% | |||||
共模電壓 | 60kVpk | |||||
光纖長度 | 2 米(光纖長度可定制) | |||||
底噪 | <1.41mVrms |
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