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折光儀原理當(dāng)我們想到折光儀時(shí)，我們經(jīng)常聽到糖度計(jì)。許多常用的糖量計(jì)都使用這種方法，當(dāng)光通過棱鏡照射到樣品上時(shí)，每個(gè)樣品的光反射角度都會(huì)發(fā)生變化。當(dāng)然，這個(gè)角度會(huì)根據(jù)樣品的濃度而變化。通過測量這種光的折射（折射率），可以用作各種密度計(jì)。原理當(dāng)光從折射率高的材料傳遞到折射率低的材料時(shí)，其方向會(huì)發(fā)生變化。根據(jù)斯涅耳定律，隨著光的入射角β增大，出射角α增大，當(dāng)出射角α達(dá)到90度（臨界角）時(shí)，界面處發(fā)生全內(nèi)反射。實(shí)際的折光儀中，如右圖所示排列有光源、棱鏡（nD=1.768）和線傳感器CCD，通過線傳感器C
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電位自動(dòng)滴定儀原理滴定是一種分析方法，其中將已知濃度的試劑溶液施加到樣品上并測定反應(yīng)試劑的體積。以前，將試劑滴入玻璃滴定管中，通過指示劑的顏色變化來確定終點(diǎn)。自動(dòng)電位滴定儀自動(dòng)分配試劑、確定終點(diǎn)、計(jì)算濃度！利用樣品中的待測物質(zhì)與已知濃度的試劑之間的定量反應(yīng)，通過滴下試劑并確定消耗的試劑量，可以測量樣品中含有多少待測物質(zhì)。直到達(dá)到等值點(diǎn)為止。原理在手動(dòng)分析中，指示劑用于通過顏色變化來檢測當(dāng)量點(diǎn)（終點(diǎn)）。此外，滴定儀使用電極根據(jù)電位(pH)的變化來檢測等當(dāng)點(diǎn)（終點(diǎn)）。用途化學(xué)工業(yè)[質(zhì)量控制/檢查/測
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卡爾費(fèi)休法的原理是什么爾費(fèi)休法是基于卡爾費(fèi)休反應(yīng)中水和碘以1:1的摩爾比進(jìn)行定量反應(yīng)的原理。脫水溶劑的主要成分是醇(ROH)、二氧化硫(SO2)、堿(RN)。醇和二氧化硫在脫水溶劑中反應(yīng)，產(chǎn)生烷基亞硫酸根陰離子(SO3R-)。該烷基亞硫酸根陰離子以[RNH]SO3R的形式存在，在脫水溶劑中被堿中和。滴定反應(yīng)如下所示。[RNH]SO3R被碘氧化時(shí)會(huì)消耗水。由于該反應(yīng)是定量進(jìn)行的，因此可以根據(jù)消耗的碘量來確定水的量。干擾反應(yīng)例如，酮和醛與甲醇反應(yīng)生成水。通過使用脫水酮溶劑和不含甲醇的陽極電解液可以抑
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什么是離子色譜法？離子色譜被定位為一種測量離子物質(zhì)成分的液相色譜。該方法使用洗脫液作為流動(dòng)相、離子交換劑作為固定相，在填充柱中分離樣品溶液中的離子物質(zhì)。電導(dǎo)率檢測器通常用于檢測離子物種，但根據(jù)目的，也使用紫外-可見吸收檢測器和電化學(xué)檢測器以及液相色譜法。離子色譜法的應(yīng)用范圍很廣，包括環(huán)境水和廢水的質(zhì)量控制，以及食品領(lǐng)域的大氣環(huán)境測量和質(zhì)量控制，因?yàn)樗梢酝瑫r(shí)進(jìn)行多組分分析，并且不易受環(huán)境影響。它是一種在許多領(lǐng)域中使用的分析方法。此外，測量的目標(biāo)成分包括無機(jī)陽離子和陰離子、低級(jí)胺、重金屬離子、有機(jī)
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東亞電波TOA-DKK 面板式pH/ORP控制器 HBM-100B (pH)
東亞電波TOA-DKK面板式pH/ORP控制器HBM-100B(pH)測量項(xiàng)目酸堿度氧化還原電位緊湊型DIN96尺寸面板安裝pH/ORP控制器自動(dòng)判定電極特性的好壞顯示屏具有LED背光測量范圍pH計(jì)(HBM-100B)：pH-1至pH15ORP計(jì)(HBM-102B)：-2000至+2000mV優(yōu)勢品牌：CCS晰寫速SEN日森、EYE巖崎、REVOX萊寶克斯、SERIC索萊克SONIC索尼克、SANKO三高、NEWKON新光、HAYASHI林時(shí)計(jì)、NPM日脈NS日本科學(xué)、DRY-CABI東利繁、T -
NiF過濾器株式會(huì)社---電鍍工藝整體解決方案我們將介紹日本過濾器產(chǎn)品的主要領(lǐng)域和解決各種電鍍工藝問題的產(chǎn)品使用示例。在要求高質(zhì)量的電鍍工藝中，電鍍化學(xué)品和清洗水的凈化過濾至關(guān)重要。NipponFilter自成立以來一直致力于生產(chǎn)精密過濾機(jī)、過濾器外殼和各種濾芯，為每種應(yīng)用提供最佳過濾效果。根據(jù)處理量，我們還提供一系列提高清洗水精度的純水生產(chǎn)設(shè)備，以及工藝過程中排放的電鍍廢水的回收設(shè)備。此外，我們還擁有膜分離設(shè)備，可以在最終排放前使用我們自己的精密過濾膜可靠地處理含重金屬廢水，并為電鍍過程中的所
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什么是半導(dǎo)體晶圓？半導(dǎo)體晶圓是一種非常薄的平板，通常在半導(dǎo)體制造過程中由單晶硅制成。硅片是極薄而小的板材，量產(chǎn)的硅片直徑一般為8英寸（200毫米）或12英寸（300毫米）。順便說一句，4英寸（100毫米）或更小的直徑專門用于研究目的。我們的薄膜成型設(shè)備基本上都是4英寸（100毫米）。半導(dǎo)體晶圓在現(xiàn)代電子設(shè)備和信息技術(shù)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。這些薄盤狀基板是半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)，也是構(gòu)建先進(jìn)電子電路的基礎(chǔ)。為什么我們需要半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體集成電路（IC）與晶圓密切相關(guān)。半導(dǎo)體集成電路將許多元件集成到
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什么是SiC半導(dǎo)體？SiC（碳化硅）是一種由硅和碳制成的化合物半導(dǎo)體，由于其優(yōu)異的性能在功率器件領(lǐng)域受到關(guān)注。Si是我們常見的半導(dǎo)體主流材料，但SiC有望成為性能超越Si的下一代半導(dǎo)體材料。與硅類似，SiC可以形成柵氧化膜(SiO2)和p型層。因此，可以直接應(yīng)用在硅中開發(fā)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的結(jié)構(gòu)。這加速了SiC功率器件的發(fā)展，并使其在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化成為可能。SiC半導(dǎo)體的特性和優(yōu)點(diǎn)功率半導(dǎo)體的性能由多種物理特性的平衡決定，包括擊穿場強(qiáng)、遷移率和導(dǎo)熱率。“Varig
