磁電耦合測量系統(tǒng)

·磁電耦合系數(shù)

      磁電耦合系數(shù)（Mangnetoelectric Voltage Coefficient, α_E=dP/dH ）是表征多鐵材料磁電耦合效應(yīng)強弱最直接方式，也是最容易通過實驗測得的參數(shù)。磁電耦合系數(shù)分別正磁電耦合系數(shù)和逆磁電耦合系數(shù)，一般情況下二者大小相同?，F(xiàn)在最為通用的測量正磁電耦合系數(shù)的原理通過對樣品施加交變磁場，具有磁電耦合效應(yīng)的多鐵材料就會感生出相同頻率的交變電壓，再通過鎖相技術(shù)得到磁電耦合電壓的值，如圖1所示。此時，磁電耦合系數(shù)的單位為V/(cm·Oe)。

圖1 磁電耦合電壓測試原理圖

·技術(shù)指標(biāo)

      本產(chǎn)品提供包括樣品桿、螺線管、樣品托等，可在OxfordPT®、Quantum Design PPMS®、Cryogenics® 、Janis®等各種低溫強磁場平臺使用。在1.8 K~400 K和0 T~13 T范圍內(nèi)具有很高的信噪比。此外，可以有多種測量方式，交變磁場和外加直流磁場可以施加在樣品的面內(nèi)和面外方向，并且可以選購具有轉(zhuǎn)角功能的樣品桿，可以實現(xiàn)磁場面內(nèi)和面外360°的轉(zhuǎn)角，為磁電耦合系數(shù)測量提供更多角度。

磁電耦合測量系統(tǒng)

·實例

       復(fù)合磁電耦合材料因為具有在室溫下大的磁電耦合系數(shù)而被廣泛的研究，其中Ni/PMN-PT/Ni trilayer因為其簡單的結(jié)構(gòu)和材料成為研究的熱點，圖2是應(yīng)用本產(chǎn)品測試的Ni/PMN-PT/Ni的磁電耦合系數(shù)隨外加直流磁場的變化，可以看出數(shù)據(jù)在μV量級仍然有很好的信噪比。

圖2 Ni/PMN-PT/Ni磁電耦合系數(shù)隨磁場的變化