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當(dāng)前位置:玉崎科學(xué)儀器(深圳)有限公司>>Rigaku理學(xué)>>半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備>> XTRAIA CD-3200T玉崎科學(xué)半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku高精度射線
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)XTRAIA CD-3200T
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地深圳市
更新時(shí)間:2024-09-29 09:58:14瀏覽次數(shù):162次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 化工儀器網(wǎng)半導(dǎo)體設(shè)備日本理學(xué)Rigaku射熒光射線分析儀
半導(dǎo)體設(shè)備日本理學(xué)Rigaku熒光射線分析儀
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價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,綜合 |
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玉崎科學(xué)半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku高精度射線
玉崎科學(xué)半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku高精度射線
TSAXS 是一種用于 CD 測(cè)量的在線小角度 X 射線散射方法。
兼容最大 300 毫米的晶圓
端器件微形狀(淺圖案/深圖案)測(cè)量設(shè)備
可以對(duì)納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行無損測(cè)量,例如橫截面輪廓、深度、形狀和坡度。獲得反映橫截面形狀的 X 射線衍射圖像。
我們提供一系列適合各種形狀半導(dǎo)體器件的設(shè)備。
可以非破壞性地測(cè)量納米結(jié)構(gòu),例如橫截面輪廓、深度、形狀和坡度。
無需任何事先準(zhǔn)備(例如文庫)即可開始測(cè)量和分析。準(zhǔn)確測(cè)量抗蝕劑等有機(jī)材料,無收縮。
使用 TSAXS 進(jìn)行深孔無損測(cè)量
疊加 TSAXS 和橫截面掃描電子顯微鏡 (SEM)
TSAXS 側(cè)壁 TiN 薄膜的厚度分布
晶圓平面內(nèi)CD和面內(nèi)傾斜角的分布
深度方向CD剖面
方法 | 小角 X 射線散射 - 透射模式 (TSAXS) | |
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目的 | 高深寬比 (HAR) 結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸測(cè)量 | |
X射線源 | 旋轉(zhuǎn)陽極陰極(Mo Ka,17.4 keV) | |
X射線光學(xué)系統(tǒng) | 多層鏡光學(xué)系統(tǒng) | |
X射線探測(cè)器 | HyPix 6000HE (2D) | |
主要部件 | 圖案化晶圓的測(cè)量 周期性微小 3D 形狀 深孔/柱結(jié)構(gòu) DRAM、3D-NAND、3D LSI 結(jié)構(gòu) | |
特征 | 模式識(shí)別和全晶圓映射 | |
選項(xiàng) | GEM300 軟件,E84/OHT 支持 | |
機(jī)身尺寸 | 4020(寬)×2500(深)×3450(高)毫米 | |
測(cè)量目標(biāo) | 節(jié)距、CD、高度、側(cè)壁厚度、SWA(側(cè)壁角度)、RT(圓頂)、RB(圓底)、CD分布、節(jié)距分布、高度分布 |
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