半導(dǎo)體設(shè)備日本理學(xué)Rigaku射熒光射線分析儀 返回列表頁(yè)

半導(dǎo)體設(shè)備日本理學(xué)Rigaku射熒光射線分析儀

半導(dǎo)體設(shè)備日本理學(xué)Rigaku射熒光射線分析儀

高強(qiáng)度/高靈敏度測(cè)量

這是一款采用全內(nèi)反射熒光X射線分析的樣品表面微量元素。配備高輸出水冷X射線管和大面積SDD探測(cè)器，即使是臺(tái)式設(shè)備，也能實(shí)現(xiàn)普通熒光X射線分析無(wú)法獲得的高靈敏度分析。

通過(guò)添加內(nèi)標(biāo)元素、滴加、干燥，可以輕松分析飲用水或環(huán)境水中的ppb級(jí)痕量成分。

它適用于高基質(zhì)樣品的篩選分析，因?yàn)?ICP 分析存在的記憶效應(yīng)和設(shè)備污染風(fēng)險(xiǎn)較小。此外，通過(guò)掃描入射X射線角度，可以在深度方向上分析樣品表面上的沉積物和薄膜。

NANOHUNTER II 概述

高強(qiáng)度/高靈敏度測(cè)量

使用 600W 高功率 X 射線源、反射鏡和大面積 SDD 可以進(jìn)行高靈敏度測(cè)量。我們已實(shí)現(xiàn)有害元素 As、Se 和 Cd 的 ppb 級(jí)檢測(cè)限。

可選擇多種激發(fā)條件

在標(biāo)準(zhǔn)激發(fā)條件（Mo靶）下，可有效激發(fā)As、Pb等有害元素。
雙結(jié)構(gòu)多層膜允許使用高能激發(fā)條件（約30 keV），從而可以使用光譜相互重疊的Cd、Ag等的K線區(qū)域作為測(cè)量線。

可變?nèi)肷浣菣C(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)角度分辨測(cè)量

通過(guò)使用任意改變?nèi)肷浣堑臋C(jī)制，現(xiàn)在不僅可以獲得表面附近的元素信息，還可以獲得深度方向的元素信息。

用于薄膜深度分析的 GI-XRF

在固體表面分析領(lǐng)域，需要比表面略深入的分析（主要是薄膜和厚膜領(lǐng)域）。 對(duì)于這種類(lèi)型的分析，采用一種稱(chēng)為掠入射射線熒光 (GI -XRF) 的方法，通過(guò)改變 X 射線源的入射角來(lái)激發(fā)地下元素。 NANOHUNTER II TXRF 光譜儀的可變?nèi)肷浣强梢詫?duì)深度剖面進(jìn)行表面分析。 GI -XRF技術(shù)適用于納米級(jí)研究。

NANOHUNTER II 規(guī)格