SENTECH二維材料刻蝕沉積 返回列表頁

用于敏感襯底的PEALD：

真遠程等離子體源能夠在低溫<100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應(yīng)性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。

用于工藝研發(fā)和改善的實時監(jiān)測：

ALD實時監(jiān)視儀RTM的原位診斷實現(xiàn)了單一ALD循環(huán)的超高分辨率。優(yōu)點是確認ALD范圍，減少處理時間和總生產(chǎn)成本。采用橢偏光譜、QCM和QMS進行原位診斷，也是我們原子層沉積設(shè)備的優(yōu)點。

簡易的腔體清洗：

定期反應(yīng)腔體清洗對于穩(wěn)定和可重復(fù)的原子層沉積工藝是的。借助于用于清洗原子層沉積系統(tǒng)的升降裝置，可以容易地打開反應(yīng)腔體。

集成手套箱：

SENTECH原子層沉積設(shè)備與各種供應(yīng)商的手套箱兼容。

多腔集成：

原子層沉積設(shè)備可作為SENTECH多腔系統(tǒng)的一個模塊。我們的原子層沉積設(shè)備可以與SENTECH PECVD和蝕刻設(shè)備結(jié)合用于工業(yè)應(yīng)用?？蛇x的多腔系統(tǒng)也具備片盒到片盒裝片的特點。

SENTECH二維材料刻蝕沉積實現(xiàn)了熱ALD和等離子體增強ALD操作。ALD設(shè)備可以配置為用于氧化物、氮化物和金屬沉積。三維結(jié)構(gòu)具有出色的均勻性和保行性。利用ALD、PECVD和ICPECVD，SENTECH提供等離子體沉積技術(shù)，用于從納米尺度沉積到數(shù)微米的薄膜沉積。

SENTECH ALD設(shè)備實現(xiàn)了熱ALD和等離子體增強ALD膜交替沉積多層結(jié)構(gòu)。熱ALD和等離子體增強ALD可在同一個反應(yīng)腔體中用快門來切換。

SENTECH提供了前沿的快速原位監(jiān)測技術(shù)，實時監(jiān)測和廣泛范圍的光譜橢偏儀可逐層監(jiān)測薄膜生長。