原子層沉積設(shè)備2 返回列表頁

原子層沉積設(shè)備（ALD）為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng)，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進(jìn)行反應(yīng)。原子層沉積設(shè)備2通過ALD循環(huán)的次數(shù)，緩慢的沉積薄膜。而熱沉積式的ALD需要較高的製程溫度(傳統(tǒng)為150~350oC)。

SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制ALD的製程，薄膜的厚度和均勻度皆小於+/- 1％。

厚度均勻度（WIW）：

原子層沉積設(shè)備單個(gè)12英寸晶圓用於沉積目標(biāo)厚度為5nm的Al2O3和HfO2膜。使用橢偏儀進(jìn)行27點(diǎn)厚度測量並輸入標(biāo)準(zhǔn)偏差公式。在±0.5nm範(fàn)圍內(nèi)和均勻度的5％以內(nèi)。

介電常數(shù)和功函數(shù)：

準(zhǔn)備三個(gè)矽晶片，並以固定的厚度沉積Al2O3/ TiN和化學(xué)氧化物/ HfO2/ TiN。原子層沉積設(shè)備2測量三個(gè)樣品的CV圖以計(jì)算介電常數(shù)和洩漏電流：介電常數(shù)應(yīng)為7?9（Al2O3）和18?22（HfO2），並且洩漏電流小於1 nA（@ 1V）。